[发明专利]具有包覆成型件的功率模块和包括这种功率模块的系统在审

专利信息
申请号: 202111578021.8 申请日: 2021-12-22
公开(公告)号: CN114664773A 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: V.弗坎布雷;A.杜托特;L.马索尔;M.克里克布 申请(专利权)人: 法雷奥电机设备公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L23/62;H02M1/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王蕊瑞
地址: 法国克*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 成型 功率 模块 包括 这种 系统
【权利要求书】:

1.一种功率模块(110),包括:

-优选由金属制成的第一电连接部分(3041)和第二电连接部分(3042),每个电连接部分具有主板(3061,3062),所述主板(3061,3062)沿着相同的主平面(PP)延伸,从而基本共面;

-安装在所述第一电连接部分(3041)的主板(3061)的上表面上的晶体管(1121),所述晶体管(1121)的上表面限定参考平面(P),所述晶体管(1121)通过至少一个条带(3261)或通过至少一个电线电连接到所述第二电连接部分(3042)的主板(3062)的上表面;以及

-例如由树脂制成的电绝缘包覆成型件(402),覆盖所述晶体管(1121)和所述第一电连接部分(3041)和第二电连接部分(3042)的主板(3061,3062)的上表面的至少一部分,所述电绝缘包覆成型件(402)的上表面具有至少部分位于所述条带(3261)或电线上方的腔(C1);

所述功率模块(110)的特征在于,所述腔(C1)具有平坦底部,所述条带(3261)或电线形成第一桥(PO1),其两端平坦地位于所述晶体管(1121)的上表面上,所述第一桥(PO1)的最高点在所述参考平面(P)上的正交投影包括在所述腔(C1)的所述平坦底部在所述参考平面(P)上的正交投影中,并且其中所述第一桥(PO1)的最高点相对于所述参考平面(P)的距离D5与所述条带(3261)或电线的厚度(D4)之间的差大于或等于平行于穿过所述电绝缘包覆成型件(402)的最高点的参考平面的平面和所述参考平面(P)之间的距离D3与平行于穿过所述电绝缘包覆成型件(402)的最高点的参考平面的平面和平行于穿过所述腔(C1)的最低点的参考平面的平面之间的距离D2之间的差。

2.根据权利要求1所述的功率模块(110),其中,所述距离D3和所述距离D2之间的差大于或等于所述条带或电线的厚度(D4),优选大于或等于所述条带或电线的厚度的两倍。

3.根据前述权利要求中任一项所述的功率模块(110),其中,所述腔(C1)具有平坦底部,所述功率模块(110)的特征在于,所述条带(3261)或电线的最高点在所述参考平面(P)上的正交投影包括在所述平坦底部在所述参考平面(P)上的正交投影中,并且所述条带(3261)或电线的最高点相对于所述参考平面(P)的距离D1与所述条带或电线的厚度(D4)之间的差大于或等于所述距离D3和所述距离D2之间的差。

4.根据前述权利要求中任一项所述的功率模块(110),其中,所述条带(3261)或电线形成第二桥(PO2),其一端平坦地位于所述晶体管(1121)的上表面上,并且其另一端平坦地位于所述第二电连接部分(3042)的主板(3062)的上表面上,其中所述第二桥(PO2)的最高点在所述参考平面(P)上的正交投影包括在所述腔(C1)的所述平坦底部在所述参考平面(P)上的正交投影中,并且其中所述第二桥(PO2)的最高点相对于所述参考平面(P)的距离D6与所述条带或电线的厚度(D4)之间的差大于或等于所述距离D3和所述距离D2之间的差。

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