[发明专利]一种TBC背接触太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202111578319.9 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114256385A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 袁晓佳;赵福祥;费存勇 | 申请（专利权）人： | 韩华新能源（启东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 俞春雷 |
| 地址： | 226200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tbc 接触 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种TBC背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在进行过制绒清洗和抛光处理后的硅片的背面生长第一隧穿氧化层以及p+掺杂层，之后在所述第一隧穿氧化层以及p+掺杂层上进行第一次激光开膜并清洗，沉积第一氮化硅层，在所述第一氮化硅层上进行第二次激光开膜和清洗，生长第二隧穿氧化层以及n+掺杂层，沉积第二氮化硅层并清洗；在硅片的正面沉积钝化减反膜；在所述n+掺杂层和第二氮化硅层上进行第三次激光开膜并清洗，在对应n+掺杂层上印刷背电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层的材质为SiO2，厚度为1～3nm，所述第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层的生长方法为高温热氧法、硝酸氧化法、臭氧氧化法或者CVD沉积法。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述p+掺杂层为采用板式或者管式PECVD原位掺杂后形成，掺杂时，硼源的流量为100～1000sccm；所述p+掺杂层的厚度为40～300nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述n+掺杂层为采用板式或者管式PECVD原位掺杂后形成，掺杂时，磷源的流量为100～1000sccm；所述n+掺杂层的厚度为40～300nm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：生长第一隧穿氧化层以及p+掺杂层后还设置有第一退火步骤：退火峰值温度为900～1100℃，退火时间为30～200min，气氛为N2和O2。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：生长第二隧穿氧化层以及n+掺杂层后还设置有第二退火步骤：退火峰值温度为700～900℃，退火时间为30～200min，气氛为N2和O2。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硅片的背面对应第一次激光开膜的位置设置有第三隧穿氧化层。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一次激光开膜和第二次激光开膜的激光波长为532nm；所述第三次激光开膜的激光波长为355nm。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的制备方法，其特征在于：所述硅片为N型硅片。
10.一种如权利要求1-9任意一项所述的制备方法制备得到的TBC背接触太阳能电池。
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