[发明专利]一种引线框架用低残余应力铜合金及其制备方法

权利要求书

1.一种引线框架用低残余应力铜合金，包括如下质量百分比的组分：Cr 0.38~0.5%，Sn0.2~0.4%，Zn 0.15~0.3%，Si 0.01~0.05%和余量Cu；

所述引线框架用低残余应力铜合金还包括可选元素；所述可选元素包括Mn、La和Ti元素中的至少一种；

所述可选元素的质量分数为0.005~0.03%；

所述Mn、La和Ti元素的质量分数独立地为0.005~0.01%；

所述铜合金包括合金基体和弥散分布于所述合金基体中的析出相；所述析出相包括体心立方结构的球状Cr相和面心立方结构的圆盘状Cr₃Si相；所述球状Cr相的粒径为2~10nm；所述圆盘状Cr₃Si相的粒径为50~100 nm；

所述铜合金包括如下体积分数的织构：(001)[100]织构5~25%，(112)[11]织构10~15%，(110)[001]织构5~20%，(011)[21]织构5~20%，(123)[63]织构5~15%，(012)[100]织构5~20%，(124)[21]织构5~20%，(113)[12]织构5~20%和(362)[83]织构5~10%。

2.一种如权利要求1所述的引线框架用低残余应力铜合金的制备方法，包括如下步骤：

（1）将合金原料进行熔炼后铸造，得到铜合金铸锭；

（2）将所述步骤（1）得到的铜合金铸锭依次进行热轧、一次冷轧和固溶处理，得到预变形铜合金；所述热轧和一次冷轧的总变形量独立地为85~95%；

（3）将所述步骤（2）得到的预变形铜合金依次进行二次冷轧和一次时效处理，得到再变形铜合金；所述二次冷轧的总变形量为60~85%；

（4）将所述步骤（3）得到的再变形铜合金依次进行三次冷轧和二次时效处理，得到低残余应力引线框架用铜合金；所述三次冷轧的总变形量为40~70%。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中固溶处理的保温温度为900~950℃，固溶处理的保温时间为5~200s。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中一次时效处理的保温温度为400~500℃，一次时效处理的保温时间为4~12h。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中二次时效处理的保温温度为350~450℃，二次时效处理的保温时间为1~12h。