[发明专利]一种电容耦合型TEV传感器方法及装置

权利要求书

1.一种电容耦合型TEV传感器方法，其特征在于，包括：

在传感器主体(100)的探头(101)上设置铜片(102)；

将铜片(102)固定在设备金属外壳上，通过铜片(102)感应设备金属外壳流过暂态电压信号；

将所述暂态电压信号通过耦合电路(200)输入到采集模块(203)；

对耦合电路(200)感应暂态电压信号的灵敏度进行调节。

2.如权利要求1所述的电容耦合型TEV传感器方法，其特征在于：将所述铜片(102)贴附在所述设备金属外壳上，所述铜片与所述设备金属外壳分别为两个极板，并设备金属外壳外壳涂料和空气构成板间介质，组成第一电容(102a)。

3.如权利要求2所述的电容耦合型TEV传感器方法，其特征在于：

所述设备金属外壳局部放电时，地暂态电压信号在所述设备金属外壳上流过，并经由第一电容(102a)耦合至传感器内部，第一电容(102a)的电容值，计算表达式如下：

其中，C_1值表示第一电容的电容值，ε表示极板间介质的介电常数，S表示极板面积，d表示极板间的距离。

4.如权利要求3所述的电容耦合型TEV传感器方法，其特征在于：第二电容(200a)为滤波电容，第三电容(200b)为耦合电容，第二电容(200a)配合电阻(200c)完成滤波功能，耦合电路(200)的关系表达式为：

其中，T(s)表示局部放电时间，C₂表示第二电容(200a)、C₃表示第三电容(200b)R₁表示电阻(200c)，若想获得较高的灵敏度，则分母需要尽可能的小，需满足下列关系C1C2,令C3＝kC1,则关系表达式简化为：

耦合电路(200)灵敏度高时需满足关系表达式：

此时，R₁需满足关系表达式：

通过调节R₁的电阻值和C_1值，对耦合电路(200)的灵敏度进行调节。

5.如权利要求4所述的电容耦合型TEV传感器方法，其特征在于：

通过将耦合电路(200)采集所述设备金属外壳上的暂态电压信号输入采集模块(203)；

所述采集模块(203)连接存储器(203a)，存储采集的所述暂态电压信号。

6.一种电容耦合型TEV传感器装置，其特征在于，包括：

传感器主体(100)，所述传感器主体(100)上设置有探头(101)，探头(101)前端设置有铜片(102)；

耦合电路(200)，所述耦合电路(200)，电性连接铜片(102)一侧，铜片(102)另一侧电性连接信号匹耦合电路(200)，并且耦合电路(200)电性连接SMA信号接口(201)，SMA信号接口(201)通过信号线(202)连接采集模块(203)。

7.如权利要求6所述的电容耦合型TEV传感器装置，其特征在于：所述铜片(102)与设备金属外壳组成第一电容(102a)，第一电容(102a)为耦合电容。

8.如权利要求7所述的电容耦合型TEV传感器装置，其特征在于：所述耦合电路(200)包括第二电容(200a)、第三电容(200b)和电阻(200c)，所述第二电容(200a)为滤波电容，第三电容(200b)为耦合电容，第二电容(200a)一侧电性连接电阻(200c)一侧，第二电容(200a)和电阻(200c)另一侧分别电性连接第三电容(200b)两侧，并且第三电容(200b)一侧连接SMA信号接口(201)，第三电容(200b)另一侧连接第一电容(102a)。