[发明专利]正极活性材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种正极活性材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将第一钴源和正极活性材料基体混合并烧结，得到第一包覆正极活性材料；

(2)将第二钴源和步骤(1)所述第一包覆正极活性材料混合并烧结，得到所述正极活性材料；

其中，步骤(2)所述烧结的温度大于步骤(1)所述烧结的温度。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法满足以下条件(a)至(d)中的至少一个：

(a)所述第一钴源和所述第二钴源的总质量与所述正极活性材料基体的质量的比值为m:(100至m)，其中，m为0.01至2；

(b)所述第一钴源和所述第二钴源的总质量与所述正极活性材料基体的质量的比值为m:(100至m)，其中，m为1.9至2；

(c)所述第一钴源与所述第二钴源的质量比为1:(0.5至3)；

(d)所述第一钴源与所述第二钴源的质量比为1:(0.9至1.1)。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法满足以下条件(e)至(g)中的至少一个：

(e)所述第一钴源和所述第二钴源独立地包括Co₃(BO₃)₂、CoCO₃、Co(NO₃)₂、Co(NO₃)₄、CoF₂、CoF₃、CoO、CoO₂、Co₃O₄、CoN、Co₂N、CoH、Co₃H和CoOOH中的任意一种或至少两种的组合；

(f)所述第一钴源为CoOOH；

(g)所述第二钴源为CoOOH。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述正极活性材料基体的化学组成为LiNi_xCo_yMn_1-x-yO₂，其中，0.5≤x≤0.9，0≤y≤0.13。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法满足以下条件(h)至(n)中的至少一个：

(h)步骤(1)所述烧结的温度为200℃至700℃；

(i)步骤(1)所述烧结的温度为500℃至600℃；

(j)步骤(1)所述烧结的时间为5h至15h；

(k)步骤(2)所述烧结的温度为400℃至850℃；

(l)步骤(2)所述烧结的温度为650℃至750℃；

(m)步骤(2)所述烧结的时间为5h至15h；

(n)步骤(2)所述烧结的温度与步骤(1)所述烧结的温度之差的取值范围为100℃至200℃。

6.一种正极活性材料，其特征在于，所述正极活性材料采用根据权利要求1至5任一项所述的制备方法制备得到，所述正极活性材料包括正极活性材料基体和包覆在所述正极活性材料基体表面的钴化合物。

7.根据权利要求6所述的正极活性材料，其特征在于，所述钴化合物包括氧化钴。

8.根据权利要求6所述的正极活性材料，其特征在于，所述钴化合物的晶型包括结晶态。

9.一种电化学装置，其特征在于，所述电化学装置的正极中包括根据权利要求6至8任一项所述的正极活性材料。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括根据权利要求9所述的电化学装置。