[发明专利]LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的N型半导体层；

位于所述N型半导体层上的多量子阱层；以及

位于所述多量子阱层上的P型半导体层；

其中，所述P型半导体层从下到上依次包括P型过渡层、P型窗口层以及位于二者之间的中间层，所述中间层的晶格常数与所述P型窗口层和所述P型过渡层的晶格常数相匹配。

2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述中间层为多层Ga组分渐变的Ga_xIn_1-xP层，且0.5≤x≤1。

3.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，多层所述中间层的厚度从所述P型过渡层到所述P型窗口层的方向递减。

4.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，从所述P型过渡层到所述P型窗口层的方向上，多层所述中间层中每层的Ga组分x渐变增加。

5.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，从所述P型过渡层到所述P型窗口层的方向，所述中间层依次包括第一中间层、第二中间层、第三中间层、第四中间层以及第五中间层。

6.根据权利要求5所述的LED外延结构，其特征在于，

所述第一中间层中Ga的组分为x＝0.5；

所述第二中间层中Ga的组分为x＝0.65；

所述第三中间层中Ga的组分为x＝0.75；

所述第四中间层中Ga的组分为x＝0.85；

所述第五中间层中Ga的组分为x＝0.95。

7.根据权利要求5所述的LED外延结构，其特征在于，

所述第一中间层的厚度为30～40nm；

所述第二中间层的厚度为20～30nm；

所述第三中间层的厚度为10～20nm；

所述第四中间层的厚度为10～20nm；

所述第五中间层的厚度为10～15nm。

8.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述P型窗口层为层叠结构，包括层叠的第一P型窗口结构层以及位于所述第一P型窗口结构层上的第二P型窗口结构层，其中，所述第一P型窗口结构层经过退火处理。

9.根据权利要求8所述的LED外延结构，其特征在于，生长所述第一P型窗口结构层以及所述第二P型窗口结构层的V族源与Ⅲ族源的摩尔量之比不同。

10.根据权利要求9所述的LED外延结构，其特征在于，生长所述第一P型窗口结构层的V族源与Ⅲ族源的摩尔量之比为40～50。

11.根据权利要求9所述的LED外延结构，其特征在于，生长所述第二P型窗口结构层的V族源与Ⅲ族源的摩尔量之比为50～80。

12.根据权利要求8所述的LED外延结构，其特征在于，生长所述第一P型窗口结构层以及所述第二P型窗口结构层的温度不同。

13.根据权利要求12所述的LED外延结构，其特征在于，生长所述第一P型窗口结构层的温度为500～600℃。

14.根据权利要求12所述的LED外延结构，其特征在于，生长所述第二P型窗口结构层的温度为800～850℃。

15.根据权利要求8所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一P型窗口结构层的厚度为20～50nm。

16.根据权利要求8所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一P型窗口结构层的退火温度为950～1000℃。