[发明专利]一种高纯度晶体生长系统及方法

权利要求书

1.一种高纯度晶体生长系统，用于晶体生长，包括真空腔（1）、反应室（2）和加热组件（3），所述加热组件（3）设置在所述真空腔（1）外，所述加热组件（3）用于加热所述反应室（2），所述反应室（2）安装在所述真空腔（1）内，所述反应室（2）用于放置反应粉料（6），其特征在于，所述反应室（2）包括腔体（21）和设于所述腔体（21）顶端的顶盖（22），所述顶盖（22）的下端面用于放置籽晶（7），所述高纯度晶体生长系统还包括：

第一升降组件（4），与所述顶盖（22）固定连接，用于驱动所述顶盖（22）升降；

供气组件（5），包括第一进气气路（51）、第一真空获得组件（52）、第二进气气路（53）和第二真空获得组件（54），所述第一进气气路（51）和所述第一真空获得组件（52）安装在所述真空腔（1）上端面上，所述第二进气气路（53）和所述第二真空获得组件（54）安装在所述真空腔（1）下端面上，用于使所述真空腔（1）内产生自上向下的气流，还用于使所述真空腔（1）内产生自下向上的气流；

控制器，与所述加热组件（3）、所述第一升降组件（4）和所述供气组件（5）电性连接，用于控制所述加热组件（3）升高所述反应室（2）内的温度，还用于在所述反应室（2）内的温度达到除杂温度时，控制所述供气组件（5）产生自上向下的气流和控制所述第一升降组件（4）驱动所述顶盖（22）上升，还用于控制所述加热组件（3）将所述反应室（2）内的温度升高至晶体生长温度以进行晶体生长，还用于在所述反应室（2）内的温度达到所述晶体生长温度时，控制所述供气组件（5）产生自下向上的气流和控制所述第一升降组件（4）驱动所述顶盖（22）下降到与所述腔体（21）闭合。

2.根据权利要求1所述的高纯度晶体生长系统，其特征在于，当所述真空腔（1）内的温度达到所述除杂温度时，所述供气组件（5）产生的气流包括除杂气体和/或惰性气体。

3.根据权利要求2所述的高纯度晶体生长系统，其特征在于，所述除杂气体为氯化氢气体，所述惰性气体为氩气。

4.根据权利要求1所述的高纯度晶体生长系统，其特征在于，所述高纯度晶体生长系统还包括第二升降组件，所述加热组件（3）安装在所述第二升降组件上，所述第二升降组件用于驱动所述加热组件（3）升降，所述第二升降组件与所述控制器电性连接，所述控制器还用于在对所述反应粉料（6）进行除杂时，控制所述第二升降组件驱动所述加热组件（3）下降，所述控制器还用于在晶体生长时，控制所述第二升降组件驱动所述加热组件（3）上升。

5.根据权利要求1所述的高纯度晶体生长系统，其特征在于，所述反应室（2）包括保温腔室和生长室，所述生长室位于所述保温腔室内。