[发明专利]一种柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜及其制备方法

权利要求书

1.一种柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)前驱体溶液的制备

将金属源、高分子助剂、稳定剂和溶剂混合均匀，制得前驱体溶液；

(2)前驱体纳米纤维膜的制备

将步骤(1)所得的前驱体溶液通过静电纺丝，制成前驱体纳米纤维膜；

(3)柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜的制备

将MOFs前驱体粉末均匀分散在步骤(2)所得的前驱体纳米纤维膜表面，并置于聚四氟乙烯板之间，然后进行热压处理，对聚四氟乙烯板进行加压加热，得到所述柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜；

步骤(1)中，所述金属源为异丙醇钛、氯化锌、氯化钨、氯化锡、氯化铁中的至少一种；

步骤(1)中，所述高分子助剂为聚氧化乙烯、聚乙烯醇、聚乙二醇中的至少一种；

步骤(1)中，所述稳定剂为正硅酸乙酯、正硅酸丁酯、正硅酸异丙酯中的至少一种；

步骤(1)中，所述溶剂为水、乙醇、乙酸、N,N-二甲基甲酰胺中的至少一种；

步骤(3)中，所述热压处理为梯度热压处理；所述梯度热压处理为：先在温度为80～150℃、压力为0.3～1.5MPa条件下，热压处理5～10min，然后在温度为180～260℃、压力为2～5MPa条件下，热压处理10～15min。

2.根据权利要求1所述的柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述金属源、高分子助剂、稳定剂和溶剂的质量比为1：(0.1～0.5)：(0.05～0.2)：(1～4)。

3.根据权利要求1所述的柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述静电纺丝的条件为：纺丝电压为10～30kV，灌注速度为0.5～5mL/h。

4.根据权利要求3所述的柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，所述静电纺丝的接收距离为10～30cm，纺丝温度为15～30℃，纺丝湿度为15～70％。

5.根据权利要求1所述的柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述MOFs为ZIF-8、HKUST-1或UiO-66-NH₂，MOFs前驱体粉末由金属盐和有机配体组成。

6.根据权利要求5所述的柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，所述金属盐为乙酸锌、乙酸铜、氯化锆中的一种。

7.根据权利要求5所述的柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，所述有机配体为2-甲基咪唑、均苯三甲酸、氨基对苯二甲酸中的一种。

8.根据权利要求5所述的柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，所述MOFs前驱体粉末中金属盐和有机配体的质量比为1：(1～4)。

9.根据权利要求1所述的柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，前驱体纳米纤维膜与MOFs前驱体粉末的质量比为1：(0.5～2)。

10.一种采用权利要求1～9中任一项所述的柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜的制备方法制得的柔性MOFs/氧化物半导体纳米纤维膜。