[发明专利]一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法及结构

权利要求书

1.一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法，其特征在于，包括：

提供裸硅晶圆，在裸硅晶圆上刻蚀盲孔，并对其进行电镀填充，制成带TSV铜柱的硅基板晶圆；

在硅基板晶圆的底部刻蚀出芯片槽并埋入异构芯片；

通过晶圆级再布线工艺在硅基板晶圆的底部表面形成RDL和UBM的多层互联金属再布线；

减薄硅基板晶圆片的顶部直至漏出TSV铜柱；

在减薄的硅基板晶圆上刻蚀出针肋微流道及进出口通道，完成TSV针肋微流道下盖板；

重复上述工序，制作出TSV针肋微流道上盖板；

将TSV针肋微流道上盖板和TSV针肋微流道下盖板进行面对面SoIC键合，实现微流道密封，完成微流道单元；

利用晶圆级植球工艺，在重构的多层硅基晶圆的UBM处植上焊球，再对三维集成TSV针肋微流道圆片进行划片形成最终的封装体。

2.如权利要求1所述的三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法，其特征在于，所述异构芯片的衬底材料包括Si、GaAs、GaN和SiC。

3.如权利要求1所述的三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法，其特征在于，所述晶圆级再布线工艺是一种钝化层和金属层多次交叠的布线工艺。

4.如权利要求3所述的三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法，其特征在于，所述多层互联金属再布线的最少包括1层金属层；所述钝化层的厚度大于形成的金属层的厚度，且所述钝化层包覆所述金属层。

5.如权利要求4所述的三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法，其特征在于，所述金属层的厚度均不小于1μm，所述钝化层的厚度均不小于3μm。

6.如权利要求1所述的三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法，其特征在于，在UBM处植上焊球的工艺包括晶圆级植球、单芯片植球和印刷锡膏；所述焊球的成分包括SnPb、SnAgCu。

7.一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装结构，其特征在于，通过权利要求1-6任一项所述的三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法制备而成。