[发明专利]一种利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法

权利要求书

1.一种利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤S1：准备，溅射壳准备；作业物件准备：靶台、金属靶材、氮离子源、衬底，工件台和挡板；

步骤S2：预处理，物件清洗；衬底清洗；衬底表面处理；

步骤S3：安装，将溅射壳进行固定；将所述步骤S2中的物件在所述溅射壳内进行安装；

步骤S4：启动，用真空泵对所述溅射壳进行抽真空；驱动并打开氮离子源的电源；

步骤S5：制膜，预轰击；开始轰击；

步骤S6：检验，对制成的薄膜进行仪器检验，若质量不合格分析原因，若质量合格记录数据并汇总。

2.根据权利要求1所述的利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于：所述步骤S1中的所述衬底的材质为石英硅，所述金属靶材的材质为铝。

3.根据权利要求1所述的利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于：所述步骤S2中的物件清洗，是对步骤1中的所述靶台、所述金属靶材、所述工件台和所述挡板进行清理，清理完成后对其进行干燥。

4.根据权利要求1所述的利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于：所述步骤S2中的衬底清洗，为使用乙醇和去离子水依次对所述衬底进行超声清洗。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于：所述步骤S2中的衬底表面处理，为通过研抛工艺对所述衬底的表面进行处理。

6.根据权利要求1所述的利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于：所述步骤S3中的物件安装过程为，所述金属靶材固定在所述靶台上；所述衬底固定在所述工件台上；所述挡板设置在所述工件台上；所述工件台处于靶台的沉积方向上；所述靶台处于所述氮离子束的发射方向上。

7.根据权利要求5所述的利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于：所述步骤S5中的预轰击为闭合所述挡板，并向所述氮离子源中充入氮气，产生低能氮离子束轰击在所述金属靶材上。

8.根据权利要求1所述的利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于：所述步骤S5中的开始轰击为打开所述挡板，在所述氮离子源中充入氮气，产生高能氮离子束轰击在所述金属靶材上，金属靶材上产生的溅射粒子，沉积在所述衬底上并形成薄膜。