[发明专利]一种碳纳米管导电网络包覆SiO@C复合材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种碳纳米管导电网络包覆SiO@C复合材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)将过渡金属类催化剂通过共沉淀法沉积在多孔二氧化硅颗粒上，得到过渡金属类催化剂-多孔二氧化硅颗粒复合物；

2)将氧化亚硅材料与有机碳源混合后进行热解处理，得到碳包覆氧化亚硅复合物；

3)过渡金属类催化剂-多孔二氧化硅颗粒复合物与碳包覆氧化亚硅复合物通过球磨混合，得到复合颗粒，在所述复合颗粒表面原位生成碳纳米管，即得。

2.根据权利要求1所述的一种碳纳米管导电网络包覆SiO@C复合材料的制备方法，其特征在于：将过渡金属盐溶液与多孔二氧化硅颗粒搅拌混合后，调节pH使过渡金属盐水解沉淀，固液分离，干燥，即得过渡金属类催化剂-多孔二氧化硅颗粒复合物。

3.根据权利要求2所述的一种碳纳米管导电网络包覆SiO@C复合材料的制备方法，其特征在于：

所述过渡金属盐溶液为铁盐溶液、钴盐溶液、镍盐溶液中至少一种；

所述多孔二氧化硅颗粒粒径为0.5～75μm。

4.根据权利要求2所述的一种碳纳米管导电网络包覆SiO@C复合材料的制备方法，其特征在于：所述过渡金属类催化剂-多孔二氧化硅颗粒复合物中过渡金属类催化剂与多孔二氧化硅颗粒的质量比为1:2～10。

5.根据权利要求1所述的一种碳纳米管导电网络包覆SiO@C复合材料的制备方法，其特征在于：

所述球磨混合的条件为：球磨转速为300～1200rad/s，球料比为2～15:1，球磨时间为0.5～6h；

所述热解处理的条件为：在保护气氛下，热解温度不高于650℃，热解时间为3～5小时。

6.根据权利要求1所述的一种碳纳米管导电网络包覆SiO@C复合材料的制备方法，其特征在于：

所述有机碳源为糖类、有机酸、低碳醇中至少一种；

所述有机碳源的质量为氧化亚硅质量的1％～10％。

7.根据权利要求1所述的一种碳纳米管导电网络包覆SiO@C复合材料的制备方法，其特征在于：过渡金属类催化剂-多孔二氧化硅颗粒复合物与碳包覆氧化亚硅复合物的质量比为1:5～100。

8.根据权利要求1所述的一种碳纳米管导电网络包覆SiO@C复合材料的制备方法，其特征在于：在复合颗粒表面原位生成碳纳米管的过程为：在保护气氛下，升温至600～1200℃后，先通入氢气2min～30min，再通入有机碳源气体，反应30min～300min。

9.一种碳纳米管导电网络包覆SiO@C复合材料，其特征在于：由权利要求1～8任一项所述的制备方法得到。

10.权利要求9所述的一种碳纳米管导电网络包覆SiO@C复合材料的应用，其特征在于：作为锂离子电池负极材料应用。