[发明专利]一种CrAlSiN梯度复合涂层及其制备方法在审
申请号: | 202111584719.0 | 申请日: | 2021-12-22 |
公开(公告)号: | CN114231901A | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 陈火根;张济沧 | 申请(专利权)人: | 昆山欧思克精密工具有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/32 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 夏苏娟 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cralsin 梯度 复合 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种CrAlSiN梯度复合涂层,其特征在于,包括顺次设置的Cr打底层、CrN粘结层、CrAlN过渡层和CrAlSiN表层;
其中,所述Cr打底层、CrN粘结层、CrAlN过渡层和CrAlSiN表层的厚度分别为0.2-0.4μm、0.2-0.4μm、2.3-2.5μm和1.0-1.4μm;所述CrAlSiN梯度复合涂层的总厚度为4-4.4μm。
2.一种权利要求1所述CrAlSiN梯度复合涂层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)依次向基体表面沉积Cr打底层、CrN粘结层、CrAlN过渡层和CrAlSiN表层,得到梯度复合材料;
(2)将所述梯度复合材料在真空环境下冷却,抛光,得到CrAlSiN梯度复合涂层。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,Cr打底层沉积的条件为:Ar的流量为150-200sccm,Cr靶的通电电流为110-130A,偏压电压为-160~-140V,真空度为0.01-0.03mbar,沉积的时间为5-15min。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,CrN粘结层沉积的条件为:Ar的流量为150-200sccm,N2的流量为150-200sccm,Cr靶的通电电流为110-130A,偏压电压为-160~-140V,真空度为0.01-0.03mbar,沉积的时间为5-15min。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,CrAlN过渡层沉积的条件为:N2的流量为180-220sccm,Cr0.7Al0.3靶的通电电流为120-160A,Cr靶的通电电流为110-130A,偏压电压为-140~-100V,真空度为0.01-0.03mbar,沉积的时间为70-90min。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,CrAlSiN表层沉积的条件为:N2的流量为180-220sccm,Cr0.7Al0.3靶的通电电流为120-160A,Cr0.8Si0.2靶的通电电流为120-160A,偏压电压为-100~-60V,真空度为0.04-0.06mbar,沉积的时间为30-50min。
7.根据权利要求2-6任一项所述的制备方法,其特征在于,所述沉积的温度为420-500℃。
8.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,抛光的时间为15-25min,速度为1.5-2.5m/s。
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