[发明专利]p型氮化物的制备方法、结构及半导体器件在审
| 申请号： | 202111584747.2 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114242572A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王国斌;周溯沅 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32;C30B25/16;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李柏柏;唐灵 |
| 地址： | 215101 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 制备 方法 结构 半导体器件 | ||
1.一种p型氮化物的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上生长p型氮化物层；
其中，所述p型氮化物层采用含氧MO源作为p型氮化物层的前驱体通过MOCVD外延生长在所述衬底上。
2.如权利要求1所述的p型氮化物的制备方法，其特征在于，所述p型氮化物层采用含氧MO源作为p型氮化物层的前驱体通过MOCVD外延生长在所述衬底上，包括：
提供衬底，在所述衬底上生长缓冲层；
在所述缓冲层上生长p型氮化物层；
其中，生长p型氮化物层所需的前驱体包括p型氮化物掺杂剂和含氧MO源。
3.如权利要求1或2所述的p型氮化物的制备方法，其特征在于，所述p型氮化物层为p型GaN、p型InGaN以及p型AlGaN中的至少一种。
4.如权利要求1或2所述的p型氮化物的制备方法，其特征在于，所述含氧MO源包括含氧三甲基镓、含氧三乙基镓、含氧三甲基铝以及含氧三乙基铝中的一种或两种以上的组合。
5.如权利要求1或2所述的p型氮化物的制备方法，其特征在于，所述含氧MO源的纯度≥99.9999％，氧含量为5-50000ppm。
6.如权利要求2所述的p型氮化物的制备方法，其特征在于，所述p型氮化物掺杂剂为二茂镁、二甲基二茂镁、双(乙基环戊二基)镁中的一种或两种以上的组合。
7.一种p型氮化物结构，其特征在于，其是通过如权利要求1-6任一项所述的p型氮化物的制备方法制得，其包括：
衬底；
p型氮化物层，其采用含氧MO源作为p型氮化物层的前驱体通过MOCVD外延生长在所述衬底上。
8.如权利要求7所述的p型氮化物结构，其特征在于，还包括：
缓冲层，其形成于所述衬底和p型氮化物层之间。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
缓冲层，其形成于所述衬底上；
n型氮化物层，其形成于所述缓冲层上；
量子阱发光层，其形成于所述n型氮化物层上；
电子阻挡层，其形成于所述量子阱发光层上；
p型氮化物层，其形成于所述电子阻挡层上；
其中，所述电子阻挡层和/或p型氮化物层通过如权利要求1-6任一项所述的p型氮化物的制备方法制得。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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