[发明专利]一种小体积GaN超级充电器

权利要求书

1.一种小体积GaN超级充电器，其特征在于，包括：内置主体元器件；

所述内置主体元器件包括：EMC电路板、PWM控制电路板、变压器电路板、反馈电路板和输出同步整流及TYPE-C电路板；

所述变压器电路板、EMC电路板和输出同步整流及TYPE-C电路板组成正方体的后面、左面和右面，所述EMC电路板设置于所述正方体的后下部位，所述反馈电路板设置于所述正方体的前上部位；

所述变压器电路板的左侧边和右侧边分别设置有第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构与所述PWM控制电路板固定连接，所述第二连接结构与所述输出同步整流及TYPE-C电路板固定连接；

所述EMC电路板的左侧边和右侧边分别设置有第三连接结构和第四连接结构，所述第三连接结构与所述PWM控制电路板固定连接，所述第四连接结构与所述输出同步整流及TYPE-C电路板固定连接；

所述反馈电路板的左侧边和右侧边分别设置有第五连接结构和第六连接结构，所述第五连接结构与所述PWM控制电路板固定连接，所述第六连接结构与所述输出同步整流及TYPE-C电路板固定连接。

2.根据权利要求1所述的小体积GaN超级充电器，其特征在于，所述PWM控制电路板上连接有高压电解电容，所述变压器电路板上连接有变压器，所述EMC电路板上连接有电感和保险丝，所述输出同步整流及TYPE-C电路板上连接有固态电容；

所述高压电解电容、变压器、固态电容、电感和保险丝均位于所述正方体的内部。

3.根据权利要求1所述的小体积GaN超级充电器，其特征在于，所述第一连接结构为第一卡位板、所述第二连接结构为第二卡位板；

所述PWM控制电路板上靠近于所述变压器电路板的边缘区域设置有第一卡位槽，所述第一卡位槽与所述第一卡位板相匹配，所述第一卡位板嵌入于所述第一卡位槽中；

所述输出同步整流及TYPE-C电路板上靠近于所述变压器电路板的边缘区域设置有第二卡位槽，所述第二卡位槽与所述第二卡位板相匹配，所述第二卡位板嵌入于所述第二卡位槽中。

4.根据权利要求1所述的小体积GaN超级充电器，其特征在于，所述第三连接结构为第三卡位板，所述第四连接结构为第四卡位板；

所述PWM控制电路板上靠近于所述EMC电路板的边缘区域设置有第三卡位槽，所述第三卡位槽与所述第三卡位板相匹配，所述第三卡位板嵌入于所述第三卡位槽中；

所述输出同步整流及TYPE-C电路板上靠近于所述EMC电路板的边缘区域设置有第四卡位槽，所述第四卡位槽与所述第四卡位板相匹配，所述第四卡位板嵌入于所述第四卡位槽中。

5.根据权利要求1所述的小体积GaN超级充电器，其特征在于，所述第五连接结构为第五卡位板，所述第六连接结构为第六卡位板；

所述PWM控制电路板上靠近于所述反馈电路板的边缘区域设置有第五卡位槽，所述第五卡位槽与所述第五卡位板相匹配，所述第五卡位板嵌入于所述第五卡位槽中；

所述输出同步整流及TYPE-C电路板上靠近于所述反馈电路板的边缘区域设置有第六卡位槽，所述第六卡位槽与所述第六卡位板相匹配，所述第六卡位板嵌入于所述第六卡位槽中。

6.根据权利要求2所述的小体积GaN超级充电器，其特征在于，所述内置主体元器件的外表层包覆有散热溶胶。

7.根据权利要求2所述的小体积GaN超级充电器，其特征在于，所述高压电解电容的外部设置有第一罩体。

8.根据权利要求7所述的小体积GaN超级充电器，其特征在于，所述第一罩体由PC材料制成。

9.根据权利要求2所述的小体积GaN超级充电器，其特征在于，所述电感的外部设置有第二罩体。

10.根据权利要求2所述的小体积GaN超级充电器，其特征在于，所述第二罩由PC材料制成。