[发明专利]三周期极小曲面填充的一体式液冷芯片散热器及制造方法在审
申请号: | 202111585898.X | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114256179A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 陈兴玉;吴书豪;周金文;盛文军;张燕龙;查珊珊;田富君 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
主分类号: | H01L23/473 | 分类号: | H01L23/473;H01L21/48 |
代理公司: | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 | 代理人: | 何梓秋 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 周期 极小 曲面 填充 体式 芯片 散热器 制造 方法 | ||
1.三周期极小曲面填充的一体式液冷芯片散热器,其特征在于,包括进液接头、出液接头、液冷腔、三周期极小曲面单胞阵列;所述三周期极小曲面单胞阵列设置在所述液冷腔内部,与所述液冷腔通过一体成型,所述出液接头、所述进液接头设置在所述液冷腔两端。
2.根据权利要求1所述的三周期极小曲面填充的一体式液冷芯片散热器,其特征在于:所述三周期极小曲面单胞阵列包括多个相互连接的三周期极小曲面单胞,所述三周期极小曲面单胞包括相互连通的三种曲面。
3.根据权利要求2所述的三周期极小曲面填充的一体式液冷芯片散热器,其特征在于:三种曲面分别为P曲面、I-WP曲面、F-RD曲面,各曲面公式如下:
P曲面公式:
I-WP曲面公式:
F-RD曲面公式:
其中,x、y、z为各曲面点的空间坐标,l为三周期极小曲面单胞的边长。
4.根据权利要求3所述的三周期极小曲面填充的一体式液冷芯片散热器,其特征在于:所述液冷芯片散热器的材质为铝合金。
5.根据权利要求4所述的三周期极小曲面填充的一体式液冷芯片散热器,其特征在于:所述液冷芯片散热器还包括盖板,所述盖板设置在所述液冷腔上,形成封闭腔体。
6.根据权利要求5所述的三周期极小曲面填充的一体式液冷芯片散热器,其特征在于:电子芯片通过界面材料与液冷散热器表面贴合,电子芯片热量通过热传导传递给液冷散热器,液冷散热器与冷却介质间通过对流换热带走热量。
7.三周期极小曲面填充的一体式液冷芯片散热器的制造方法,用于加工如权利要求1~6任一项所述的液冷芯片散热器,通过采用增材制造方式将所述液冷芯片散热器一体成型。
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