[发明专利]一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件

权利要求书

1.一种复合衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一工艺温度下，在支撑衬底上制备第一多晶硅薄膜层；

对得到的第一多晶硅薄膜层进行第一次退火处理，得到多晶硅晶籽层；

第一工艺温度下，对所述多晶硅晶籽层上制备第二多晶硅薄膜层，得到复合衬底；其中，所述第一次退火处理温度高于第一工艺温度。

2.根据权利要求1所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第一多晶硅薄膜层的厚度为1～30nm，且所述多晶硅晶籽层的多晶硅晶粒大于第一多晶硅薄膜层的多晶硅晶粒。

3.根据权利要求1所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，制备第二多晶硅薄膜层之后还包括对第二多晶硅薄膜层进行第二次退火处理，所述第二次退火处理的温度高于第一工艺温度。

4.根据权利要求3所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第一工艺温度为600～700℃，所述第一次退火处理温度和第二次退火处理温度范围为700～900℃。

5.根据权利要求1所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，在制备第一多晶硅薄膜层之前还包括：对支撑衬底进行高温预处理，其中高温预处理的温度为1100-1300℃。

6.根据权利要求1所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，还包括：

在第二多晶硅薄膜层上制备绝缘层；所述绝缘层为二氧化硅、氮氧化硅以及氮化硅中的一种。

7.根据权利要求6所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，所述在第二多晶硅薄膜层上制备绝缘层包括：

第二工艺温度下，对第二多晶硅薄膜层进行氧化处理，得到绝缘层，所述第二工艺温度为900-1000℃；其中，所述绝缘层为第二多晶硅薄膜层中部分被氧化得到的二氧化硅层；未被氧化的第二多晶硅薄膜层与晶籽层形成多晶硅层。

8.根据权利要求7所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，还包括：在所述绝缘层上制备有源层，得到复合衬底。

9.一种复合衬底，其特征在于，所述复合衬底如权利要求8所述的方法制备而成，所述复合衬底包括衬底、多晶硅层、绝缘层以及有源层。

10.一种电子元器件，其特征在于，所述电子元器件包括权利要求9所述的复合衬底。