[发明专利]功率模块

权利要求书

1.一种功率模块，其特征在于，包括：

至少一个功率半导体元件；

第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层被配置为将所述功率半导体元件夹在其间；

设置在所述第一导电层上的第一冷却构件和设置在所述第二导电层下的第二冷却构件；

所述第一导电层与所述第二导电层之间的至少一个缓冲电容器，所述缓冲电容器包括第一电极、第二电极、以及所述第一电极与所述第二电极之间的电容器芯，

第一过渡层；以及

第二过渡层，

其中，所述第一过渡层和所述第二过渡层是导电的，

其中，所述第一过渡层位于所述第一导电层与所述第一电极之间，所述第二过渡层位于所述第二电极与所述第二导电层之间，所述第一过渡层的热膨胀系数介于所述第一导电层的热膨胀系数与所述第一电极的热膨胀系数之间，所述第二过渡层的热膨胀系数介于所述第二电极的热膨胀系数与所述第二导电层的热膨胀系数之间。

2.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块进一步包括第三过渡层，所述第三过渡层是导电的，

所述第三过渡层位于所述第一电极与所述电容器芯之间，并且所述第三过渡层的热膨胀系数介于所述第一电极的热膨胀系数与所述电容器芯的热膨胀系数之间。

3.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块进一步包括第四过渡层，所述第四过渡层是导电的，

所述第四过渡层位于所述电容器芯与所述第二电极之间，并且所述第四过渡层的热膨胀系数介于所述电容器芯的热膨胀系数与所述第二电极的热膨胀系数之间。

4.如权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述第三过渡层是导电树脂层。

5.如权利要求3所述的功率模块，其特征在于，所述第四过渡层是导电树脂层。

6.如权利要求4或5所述的功率模块，其特征在于，所述导电树脂层是掺杂有银颗粒的树脂层。

7.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述缓冲电容器是MLCC。

8.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一冷却构件具有引脚翅片结构，并且/或者所述第二冷却构件具有引脚翅片结构。

9.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一过渡层被焊接/烧结到所述第一导电层和所述第一电极，并且/或者所述第二过渡层被焊接/烧结到所述第二电极和所述第二导电层。

10.如权利要求9所述的功率模块，其特征在于，所述第一过渡层被超声焊接到所述第一导电层和所述第一电极，并且/或者所述第二过渡层被超声焊接到所述第二电极和所述第二导电层。

11.如权利要求9所述的功率模块，其特征在于，所述第一过渡层通过银烧结到所述第一导电层和所述第一电极，并且/或者所述第二过渡层通过银烧结到所述第二电极和所述第二导电层。

12.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述功率半导体元件是SiC MOSFET。

13.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述缓冲电容器接近所述功率半导体元件定位。

14.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块的操作温度为-40℃～150℃，并且/或者

所述第一导电层与所述第二导电层之间的电压为300V～800V，并且/或者

所述第一导电层与所述第二导电层之间的电流为100A～1000A。