[发明专利]单晶硅体内BMD的批量评价方法

说明书

单晶硅体内BMD的批量评价方法，选取不同氧含量的数个原始硅片；对数个原始硅片分别进行FTIR检测，获得每一原始硅片中心间隙氧的起始值；对每一个原始硅片采用相同的热处理工艺处理，得到处理硅片；对数个处理硅片分别进行FTIR检测，获得每一处理硅片中心间隙氧的剩余值；对数个处理硅片分别进行BMD检测，获得每一个处理硅片的BMD数值；对上述获得的中心间隙氧的起始值、中心间隙氧的剩余值、BMD数值的数据进行线性拟合，获得BMD个数与中心间隙氧的变化值的相关性公式，将待测试硅片通过FTIR检测待测试硅片的间隙氧的变化量，将间隙氧的变化量放入相关性公式中，得到BMD的数目。

技术领域

本发明涉及单晶硅体内BMD的检测方法工艺技术领域，具体涉及一种单晶硅体内BMD的批量评价方法。

背景技术

CZ法直拉单晶硅在长晶过程中会有缺陷生成，部分缺陷会对产品造成较为明显的负面影响。因此，单晶硅产品会对缺陷进行检测，以控制产品质量或反应工艺改进效果。半导体级的单晶硅对缺陷的数目更是有着较为严格，密度高了会对产品的性能造成明显影响，但是密度低了同样满足不了内置吸杂等有益效果。

现有单晶硅体内原生缺陷的评价方法是通过劈开热处理后的单晶硅片进行显微镜下断面观察进行体内微缺陷计数并计算密度，当需要对一批量的硅片进行处理，需要将每个硅片都劈开，再将硅片的断面放在显微镜下计数，使得BMD的计数工作量大且工作繁琐。

发明内容

有鉴于此，针对上述不足，有必要提出一种检测简单、工作量小的单晶硅体内BMD的批量评价方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种单晶硅体内BMD的批量评价方法，包括以下步骤：

步骤一：选取不同氧含量的数个原始硅片；

步骤二：对数个原始硅片分别进行FTIR检测，获得每一原始硅片中心间隙氧的起始值；

步骤三：对每一个原始硅片采用相同的热处理工艺处理，得到处理硅片；

步骤四：对数个处理硅片分别进行FTIR检测，获得每一处理硅片中心间隙氧的剩余值；

步骤五：对数个处理硅片分别进行BMD检测，获得每一个处理硅片的BMD数值；

步骤六：对上述获得的中心间隙氧的起始值、中心间隙氧的剩余值、BMD数值的数据进行线性拟合，获得BMD与中心间隙氧的变化值的相关性公式，以对待测硅片进行批量检测。

优选地，所述步骤一中还包括对原始硅片除杂，所述除杂步骤具体为：将数个原始硅片进行清洗、抛光，去除原始硅片表面的油污及原始硅片表面的损伤。

优选地，所述步骤三之前还包括：预处理，所述预处理步骤具体为：将原始硅片以第一预定升温速率加热至第一预定温度，通入第一预定气体，反应第一预定时间，进行预处理，得到有致密薄膜的原始硅片，以隔绝原始硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散的途径；

再将有致密薄膜的原始硅片通入第二预定气体，保持第二预定时间，使原始硅片内部空位、间隙氧扩散均匀，得到经过预处理的原始硅片。

优选地，所述预处理步骤中，所述第一预定升温速率50℃/s-100℃/s，所述第一预定温度为1000℃-1200℃，所述第一预定气体为氮气或氧气，所述氮气或氧气的压力为10bar-100bar，第一预定的时间为1min-30min。

优选地，所述预处理步骤中，所述第二预定气体为氩气，所述氩气的压力为10bar-100bar，所述第二预定的时间为5min-30min。

优选地，所述步骤三之后还包括：清洗，所述清洗步骤具体操作为：将数个处理硅片进行化学药剂清洗。

优选地，所述清洗步骤中，化学药剂为HF、HNO3。