[发明专利]单晶硅体内BMD的检测方法

权利要求书

1.一种单晶硅体内BMD的检测方法，其特征在于，包括预处理步骤，所述预处理步骤具体为：将原始硅片以第一预定升温速率加热至第一预定温度，通入第一预定气体，反应第一预定时间，进行预处理，得到有薄膜的原始硅片，以隔绝原始硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散的途径；

再将有薄膜的原始硅片通入第二预定气体，保持第二预定时间，使原始硅片内部空位、间隙氧扩散均匀，得到中间硅片，再将中间硅片进行热处理，将热处理后的中间硅片在显微镜下进行检测，以得到硅片内BMD的数目；

所述第一预定温度为1000℃-1200℃，所述第一预定气体为氮气或氧气，所述氮气或氧气的压力为10bar-100bar，第一预定的时间为1min-30min，所述第二预定气体为氩气，所述氩气的压力为10bar-100bar，所述第二预定的时间为5min-30min。

2.根据权利要求1所述的单晶硅体内BMD的检测方法，其特征在于，所述单晶硅体内BMD的检测方法还包括热处理步骤，所述热处理步骤具体为：将中间硅片以预定降温速率降温至第三预定温度，反应第三预定时间，使得空位与间隙氧形成BMD，中间硅片反应第三预定时间后以第二预定升温速率升温至第四预定温度，保持第四预定时间，得到处理硅片。

3.根据权利要求2所述的单晶硅体内BMD的检测方法，其特征在于，所述单晶硅体内BMD的检测方法还包括除膜步骤，所述除膜步骤具体为：将处理硅片表面生成的薄膜除去，保持体内缺陷密度的统一性，再将硅片劈开进行择优腐蚀，得到待检测硅片。

4.根据权利要求3所述的单晶硅体内BMD的检测方法，其特征在于，所述单晶硅体内BMD的检测方法还包括检测步骤，所述检测步骤具体为：将待检测硅片放置在显微镜下进行观察，检测BMD的数目。

5.根据权利要求1所述的单晶硅体内BMD的检测方法，其特征在于，所述预处理步骤中，所述第一预定升温速率50℃/s-100℃/s。

6.根据权利要求2所述的单晶硅体内BMD的检测方法，其特征在于，所述热处理步骤中，所述预定降温速率为10℃/min-40℃/min，所述第三预定温度为700℃-900℃，第三预定时间为2h-10h，所述第二预定升温速率为5℃/min-10℃/min，所述第四预定温度为1000℃-1100℃，保持第四预定时间为10h-35h。

7.根据权利要求3所述的单晶硅体内BMD的检测方法，其特征在于，所述除膜步骤中，所述将处理硅片表面生成的薄膜除去的具体方式包括：通过化学药剂腐蚀法或者机械抛光法。

8.根据权利要求7所述的单晶硅体内BMD的检测方法，其特征在于，所述化学药剂腐蚀法用的化学药剂为HF或HNO₃。

9.根据权利要求7所述的单晶硅体内BMD的检测方法，其特征在于，所述机械抛光法需去除处理硅片正、反面10μm-80μm的厚度。

10.根据权利要求3所述的单晶硅体内BMD的检测方法，其特征在于，所述除膜步骤中，所述择优腐蚀的药剂为HF或HNO₃或Cu（NO₃）₂或AgNO₃。