[发明专利]掩模组件以及制造该掩模组件的方法在审
申请号: | 202111587120.2 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114657508A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 金洸炫;河宪植;全祐奭 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/20;C23C14/34 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 史迎雪;王琦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模组 以及 制造 方法 | ||
本发明涉及掩模组件以及制造该掩模组件的方法。该方法包括:形成包括掩模图案的单元掩模以及包括被设置为分别与掩模图案相对应的导电图案的网格框架,并且将单元掩模和网格框架设置在掩模框架上。形成单元掩模和网格框架包括:形成聚合物层、导电层和硬掩模层,形成包括蚀刻图案的掩模图案层,并且使用掩模图案层形成单元掩模和网格框架。
相关申请的交叉引用
本申请要求2020年12月23日提交的第10-2020-0181956号韩国专利申请的优先权以及从该申请获得的所有权益,该申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明的实施例涉及掩模组件以及制造该掩模组件的方法。更具体地,本发明的实施例涉及具有提高的生产良率和掩模效果的掩模组件以及制造该掩模组件的方法。
背景技术
显示面板包括多个像素。多个像素中的每个像素包括诸如晶体管的驱动元件和诸如有机发光二极管的发光元件。发光元件包括电极和发光图案。
通过使用掩模来对发光层进行图案化而形成发光图案,掩模图案通过该掩模限定。近年来,正在开发用于大面积掩模的材料和制造方法的技术,以提高包括发光图案的显示面板的生产良率。
发明内容
本发明的实施例提供了一种掩模组件,该掩模组件包括包含聚合物材料的单元掩模和包括导电材料的网格框架。
本发明的实施例提供了一种制造掩模组件的方法。
本发明的实施例提供了一种制造掩模组件的方法。该制造方法包括:形成包括多个掩模图案的单元掩模以及包括被设置为分别与多个掩模图案相对应的多个导电图案的网格框架,并且将单元掩模和网格框架设置在掩模框架上。形成单元掩模和网格框架包括:在基底基板上形成聚合物层并且在聚合物层上形成导电层。形成单元掩模和网格框架进一步包括:在导电层上形成硬掩模层,并且蚀刻硬掩模层和导电层以形成包括蚀刻图案的掩模图案层。形成单元掩模和网格框架进一步包括:使用掩模图案层蚀刻聚合物层以形成单元掩模和网格框架。
在实施例中,聚合物层可以包括第一聚合物材料,硬掩模层可以包括第二聚合物材料,并且第二聚合物材料可以不同于第一聚合物材料。
在实施例中,形成单元掩模和网格框架可以进一步包括:部分地去除掩模图案层以用于形成网格框架,并且将基底基板与单元掩模分离。
在实施例中,掩模图案层可以包括通过蚀刻硬掩模层形成的第一图案层以及通过蚀刻导电层形成的第二图案层。
在实施例中,蚀刻聚合物层可以是使用在第一图案层和聚合物层之中选择性地蚀刻聚合物层的第一气体来执行的。在实施例中,第一气体在第一图案层、第二图案层和聚合物层之中选择性地蚀刻聚合物层。
在实施例中,部分地去除掩模图案层可以包括:使用在第一图案层和第二图案层之中选择性地蚀刻第一图案层的第二气体从掩模图案层去除第一图案层。
在实施例中,第二气体可以在单元掩模、第一图案层和第二图案层之中选择性地蚀刻第一图案层。
在实施例中,形成单元掩模和网格框架可以进一步包括:在硬掩模层上涂覆光刻胶,并且对光刻胶进行图案化以形成蚀刻掩模。
在实施例中,蚀刻图案可以包括提供在第一图案层中的多个第一图案和提供在第二图案层中的多个第二图案。
在实施例中,形成掩模图案层可以包括:使用蚀刻掩模蚀刻硬掩模层以形成包括多个第一图案的第一图案层,并且使用第一图案层蚀刻导电层以形成包括多个第二图案的第二图案层。
在实施例中,形成单元掩模和网格框架可以进一步包括:在形成第一图案层之后去除蚀刻掩模。
在实施例中,蚀刻硬掩模层可以包括:使用气体蚀刻硬掩模层。
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