[发明专利]用于半导体蚀刻废液中氯化铜提纯的电渗析装置

权利要求书

1.一种用于半导体蚀刻废液中氯化铜提纯的电渗析装置，包括淡化室、浓缩室和极室，由阳离子交换膜、阴离子交换膜间隔排列构成，其特征在于，所述的阴离子交换膜为商品化阴离子交换膜，所述的阳离子交换膜为由如下方法制备得到复合膜：

1)将阳离子交换膜基膜浸泡在含有Fe³⁺离子的溶液中，溶液搅拌静置0.5-1小时后取出，并用去离子水清洗表面，获得铁型阳离子交换膜；其中含Fe³⁺溶液为氯化铁、硝酸铁或硫酸铁的溶液，溶液中Fe³⁺离子浓度为0.01-1mol/L；所述的阳离子交换膜基膜为不具备对不同价态离子选择性的普通离子交换膜。

2)配制浓度为9.5～10.5mmol/L的Tris-HCl缓冲溶液，将其中加入多巴胺和聚乙烯亚胺，并用盐酸和氢氧化钠将pH调至8～9，获得共沉积溶液；

3)将步骤1)制得的铁型阳离子交换膜浸入步骤2)配制的共沉积溶液中，反应0.5-6小时后，取出后用清水冲洗表面，获得用于半导体蚀刻废液的提纯氯化铜的复合膜。

2.权利要求1所述的电渗析装置，其特征在于，所述极室的电极为钛镀钌板，所述的浓缩室中加入1-5g/L的氯化钠溶液，以0.05-0.5mol/L的硫酸钠溶液为极水。

3.权利要求1所述的电渗析装置，其特征在于，所述的阳离子交换膜基膜为日本富士公司的Type 12型阳离子交换膜。

4.权利要求1所述的电渗析装置，其特征在于，所述的阴离子交换膜为AMX膜或Type 12型阴离子交换膜。

5.权利要求1所述的电渗析装置，其特征在于，所述的共沉积溶液中，多巴胺的浓度为1g/L-10g/L；聚乙烯亚胺的分子量为10000-100000，浓度为1g/L-10g/L。

6.一种用权利要求1`～5任一所述的电渗析装置提纯半导体蚀刻废液中氯化铜的方法，其特征在于，将半导体蚀刻废液置于淡化室中，用NaOH将废液pH调至6～7后，接通直流电进行电渗析分离。