[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法

说明书

本发明提供一种发光效率高的氮化物半导体发光元件。多个势垒层中位于第一势阱层之间的至少一个势垒层和多个势垒层中位于第二势阱层之间的至少一个势垒层包含含有n型杂质的第一势垒层、和含有n型杂质浓度比第一势垒层低的n型杂质且位于比第一势垒层靠p侧氮化物半导体层侧的第二势垒层，位于第一势阱层之间的第一势垒层的n型杂质浓度比位于第二势阱层之间的第一势垒层的n型杂质浓度高，多个势垒层中位于第一势阱层之间的势垒层的第一势垒层的n型杂质浓度和第二势垒层的n型杂质浓度之差比多个势垒层中位于第二势阱层之间的势垒层的第一势垒层的n型杂质浓度和第二势垒层的n型杂质浓度之差大。

技术领域

本公开涉及氮化物半导体发光元件及其制造方法。

背景技术

专利文献1记载有一种半导体发光元件，其包含n型半导体层、具有活性层的中间层、p型半导体层，且在多个势阱层之间设有势垒层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2019/106931号

发明内容

发明所要解决的课题

在上述氮化物发光元件的发光效率中，有改善发光效率的余地。因此，本公开的目的在于，提供一种实现了发光效率的提高的氮化物半导体发光元件及其制造方法。

用于解决课题的技术方案

为了实现以上目的，本公开的氮化物半导体发光元件包含n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层、设置于所述n侧氮化物半导体层和所述p侧氮化物半导体层之间的活性层，其中，

所述活性层具有包含势阱层和势垒层的多个层叠部，

所述势阱层包含多个第一势阱层、和位于比多个所述第一势阱层靠所述p侧氮化物半导体层侧的多个第二势阱层，

多个所述势垒层中位于所述第一势阱层之间的至少一个所述势垒层、和多个所述势垒层中位于所述第二势阱层之间的至少一个所述势垒层包含含有n型杂质的第一势垒层、和含有n型杂质浓度比所述第一势垒层低的n型杂质且位于比所述第一势垒层靠所述p侧氮化物半导体层侧的第二势垒层，

位于所述第一势阱层之间的所述第一势垒层的n型杂质浓度比位于所述第二势阱层之间的所述第一势垒层的n型杂质浓度高，

多个所述势垒层中位于所述第一势阱层之间的所述势垒层中的所述第一势垒层的n型杂质浓度和所述第二势垒层的n型杂质浓度之差比多个所述势垒层中位于所述第二势阱层之间的所述势垒层中的所述第一势垒层的n型杂质浓度和所述第二势垒层的n型杂质浓度之差大。

另外，本公开的氮化物半导体发光元件的制造方法具有：

形成n侧氮化物半导体层的工序；

在形成所述n侧氮化物半导体层的工序之后，形成具有包含势阱层和势垒层的多个层叠部的活性层的工序；

在形成所述活性层的工序之后，形成p侧氮化物半导体层的工序，

形成所述活性层的工序包含形成多个所述势垒层的工序和形成多个所述势阱层的工序，

形成多个所述势垒层的工序分别具有形成含有n型杂质的第一势垒层的工序和形成第二势垒层的工序，该第二势垒层含有n型杂质浓度比所述第一势垒层低的n型杂质，且位于比所述第一势垒层靠所述p侧氮化物半导体层侧，

形成多个所述势阱层的工序具有形成多个第一势阱层的工序、和形成位于比多个所述第一势阱层靠所述p侧氮化物半导体层侧的多个第二势阱层的工序，

在形成多个所述势垒层的工序中，