[发明专利]一种空间太阳电池旁路二极管测试装置

权利要求书

1.一种空间太阳电池旁路二极管测试装置，其特征在于，至少包括：

波形生成器；

功率拓扑电路，对被测空间太阳电池旁路二极管施加正向脉冲恒流源I_FW、反向电压V_REV以及正反向电压功率波形连续且符合标准条件脉宽时间的测试波形；

逻辑控制电路，接受参考电位为0电位到正电位，且脉宽时间可变的脉宽发生电路产生的信号，通过晶体管及外围电阻组成的逻辑控制，驱动功率拓扑电路中的MOS管，实现太阳电池旁路二极管测试所需的功率波形；

由网络电阻和网络电容组成的去阻尼网络；其中：

所述功率拓扑电路通过逻辑控制电路、去阻尼网络与波形生成器连接。

2.根据权利要求1所述空间太阳电池旁路二极管测试装置，其特征在于，所述正向脉冲恒流源I_FW的范围是0～50A；所述反向电压V_REV的范围是0～20V。

3.根据权利要求1所述空间太阳电池旁路二极管测试装置，其特征在于，所述功率拓扑电路由第一电源、第二电源、P-MOS管、N-MOS管、熔断器、第一限流电阻及第二限流电阻组成，所述第一电源的负极与第二电源的正极连接；所述空间太阳电池旁路二极管的阴极通过熔断器分别与第一电源的正极、第二电源的负极连接；所述空间太阳电池旁路二极管的阳极通过第一限流电阻与P-MOS管的D极连接，所述第二电源的正极与P-MOS管的S极连接，所述空间太阳电池旁路二极管的阳极通过第二限流电阻与N-MOS管的D极连接，所述第一电源的负极与N-MOS管的S极连接。

4.根据权利要求3所述空间太阳电池旁路二极管测试装置，其特征在于，所述N-MOS管的D极依次通过网络电阻和网络电容与N-MOS管的G极连接。

5.根据权利要求4所述空间太阳电池旁路二极管测试装置，其特征在于，所述逻辑控制电路由第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、脉宽信号发生电路、外围电阻组成；其中：所述N-MOS管的G极通过10欧姆的电阻与第四三极管的C极连接，所述第四三极管的E极接地，所述第四三极管的B极通过20K欧姆的电阻接地，所述第四三极管的B极通过1K欧姆的电阻与波形生成器连接；所述N-MOS管的G极通过20K欧姆的电阻与第二电源的正极连接，所述N-MOS管的G极通过10欧姆的电阻分别与第一三极管的E极、第二三极管的E极连接，所述第一三极管的C极与第二电源的正极连接，所述第一三极管的C极通过20K欧姆的电阻与第一三极管的B极连接；所述第三三极管的C极分别与第一三极管的B极、第二三极管的B极连接，所述第三三极管的E极接地，所述第三三极管的B极通过2K欧姆的电阻与波形生成器连接；所述第三三极管的B极通过20K欧姆的电阻接地。

6.根据权利要求1所述空间太阳电池旁路二极管测试装置，其特征在于，所述第一电源的电压范围是1～15V。

7.根据权利要求1所述空间太阳电池旁路二极管测试装置，其特征在于，所述第二电源的电压范围是2～10V。