[发明专利]一种含氯钒电解液晶体、其制备方法及用途在审
申请号: | 202111588961.5 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114335645A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 阎成友;宋明明;高新亮;刘国昌;许盛 | 申请(专利权)人: | 大连博融新材料有限公司 |
主分类号: | H01M8/18 | 分类号: | H01M8/18 |
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地址: | 116450 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含氯钒 电解液 晶体 制备 方法 用途 | ||
1.一种含氯钒电解液晶体,其特征在于,包括:H3VCl6.nH2O、VOCl2、硫酸盐和磷源;所述硫酸盐为VOSO4和/或V2(SO4)3.nH2O,所述磷源为VOHPO4和/或VPO4。
2.根据权利要求1所述含氯钒电解液晶体,其特征在于,所述含氯钒电解液晶体中三价钒与四价钒的摩尔比为0.8~1.2;Cl与V的摩尔比为2~6;Cl与S的摩尔比为20:1~2:1;V与P的摩尔比为20~200。
3.一种权利要求1或2所述含氯钒电解液晶体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、用盐酸溶解VO2,获得VOCl2溶液,其中Cl与V摩尔比=2.5~7,V浓度≥2.5mol/L;
步骤2、电解VOCl2溶液,将钒还原至V3+/V≥50%,得到含VCl3的溶液,冷却结晶,获得H3VCl6.nH2O晶体;
步骤3、将H3VCl6.nH2O晶体、VOCl2.nH2O、硫酸盐和磷源,按照配比混合均匀,获得含氯钒电解液晶体。
4.根据权利要求3所述含氯钒电解液晶体的制备方法,其特征在于,步骤2结晶母液返回步骤1用于溶解VO2。
5.根据权利要求3所述含氯钒电解液晶体的制备方法,其特征在于,步骤2电解条件为50~300mA/cm2,电压0~1.8V。
6.根据权利要求3所述含氯钒电解液晶体的制备方法,其特征在于,步骤2冷却结晶温度为-30~20℃。
7.一种权利要求1或2所述含氯钒电解液晶体在钒电池领域的用途。
8.根据权利要求7所述用途,其特征在于,使用时,将含氯钒电解液晶体运输到项目现场,加水溶解获得含氯的钒电解液。
9.根据权利要求7所述用途,其特征在于,使用时,将含氯钒电解液晶体加水溶解获得含氯的钒电解液,再加入电解质晶体助溶添加剂,所述全钒晶体电解质助溶添加剂与含氯钒电解液晶体的摩尔比为1:8~1:25。
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