[发明专利]一种谐振器、滤波器、通信设备及其制造方法

说明书

本公开内容提供一种体声波谐振器，其包括一衬底，所述衬底中或所述衬底上具有一第一区域；在所述衬底上具有第一电极层、功能材料层和第二电极层；所述第一区域、所述第一电极层、所述功能材料层和所述第二电极层定义出一第二区域和一第三区域；在所述第二区域中具有倾斜结构特征，所述倾斜结构特征的上部分在所述第二区域的投影比所述倾斜结构特征的下部分在所述第二区域的投影更靠近所述第二区域的中心区域。本公开内容能更好解决横向模式对于谐振器性能的有害影响，能提高杂波抑制能力，从而提高包含有该谐振器的滤波器的性能，进而提高包含所述滤波器的通信设备的性能。

技术领域

本公开内容涉及一种通信设备及其制造方法，更具体而言，涉及一种带有滤波器的通信设备及其制造方法。

背景技术

随着通信技术的发展，便携式及其他类型的通信设备中包括用于发送和/或接收信号的滤波器。所述滤波器根据不同的应用可以使用多种不同类型的声波谐振器，例如薄膜体声波谐振器(FBAR)、固态谐振器(SMR)、耦合谐振器滤波器(CRF)、体声谐振器(SBAR)和双体声谐振器(DBAR)等等。

现有技术中，薄膜体声波谐振器(FBAR)更适合于便携式通信装置，其与标准的集成制造技术兼容。如图1所示薄膜体声波谐振器(FBAR)通常结构为包括夹在两个电极(10、20)之间的压电材料层30，然后将该结构置于在输入电信号施加在两个平板电极之间的情况下，逆压电效应使得所述压电材料层由于压电材料的极化而机械地膨胀或收缩。随着输入电信号随时间变化，所述压电材料层的膨胀和收缩产生沿各种方向传播的声波，并且通过压电效应被转换为电信号。

上述结构的薄膜体声波谐振器(FBAR)中包括可能受到不同类型的谐振模式影响的不同横向区域，上下平板电极与压电材料重叠的第一区域和上下电极与压电材料不重叠的第二区域的边缘处包括有电激发模式中的能量散射产生的横向模式。横向模式对于薄膜体声波谐振器(FBAR)的性能具有有害的影响。

现有技术中为解决上述问题，通过对电极的结构进行改进设计，例如上电极进行框架设计以抑制或减轻横向模式。图2中示出了上电极具有框架设计的薄膜体声波谐振器(FBAR)改进结构的示意图。所述框架具有凸起结构40和凹陷结构50，然而上述改进的薄膜体声波谐振器(FBAR)在制造时由于光刻工艺，OT边缘不是垂直的，而是如图3所示具有一定角度，使得薄膜体声波谐振器(FBAR)的杂波抑制能力降低。

本公开内容针对上述技术问题，设计出了一种新颖的薄膜体声波谐振器(FBAR)结构，其能更好解决横向模式对于薄膜体声波谐振器(FBAR)性能的有害影响，以及能提高杂波抑制能力，提高滤波器的性能，进而提高通信设备的性能。

发明内容

在下文中将给出关于本公开内容的简要概述，以便提供关于本公开内容某些方面的基本理解。应当理解，此概述并不是关于本公开内容的穷举性概述。它并不是意图确定本公开内容的关键或重要部分，也不是意图限定本公开内容的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

根据本公开内容的一方面提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：一衬底，所述衬底中或所述衬底上具有一第一区域；在所述衬底上具有第一电极层、功能材料层和第二电极层；所述第一区域、所述第一电极层、所述功能材料层和所述第二电极层定义出一第二区域和一第三区域；在所述第二区域中具有倾斜结构特征，所述倾斜结构特征的上部分在所述第二区域的投影比所述倾斜结构特征的下部分在所述第二区域的投影更靠近所述第二区域的中心区域。

进一步的，其中所述第二电极具有框架结构，所述框架结构具有第一凸起和第一凹陷。

进一步的，所述倾斜结构是形成在所述第二电极框架结构的至少一边框的第一凸起处的缺口部和/或形成在所述功能材料层上的缺口部。

进一步的，所述缺口部的个数设置为1-5个。

进一步的，所述缺口部两侧壁的延长线与水平面的夹角范围设置为10-80度。