[发明专利]一种多位扇出共栅型FLASH开关单元结构及其制备方法

权利要求书

1.一种多位扇出共栅型FLASH开关单元结构，其特征是：FLASH开关单元(44)包括制备于同一衬底(00)上的一个编程/擦除浮栅晶体管T1以及多个信号传输浮栅晶体管T2_n，FLASH开关单元可选择nFLASH或pFLASH，在所述衬底(00)内的上部设有阱(01)，编程/擦除浮栅晶体管T1的有源区(22)、信号传输浮栅晶体管T2_n的有源区(11)均位于阱(01)内，并通过阱(01)内的多个有源区隔离体(02B_n)隔离；

在编程/擦除管有源区(22)内设有编程/擦除管漏区(09A)以及编程/擦除管源区(09B)，在信号传输管有源区(11)内设有信号传输管漏区(09C)以及信号传输管源区(09D)；

在编程/擦除管有源区(22)以及信号传输管有源区(11)上均设置隧道氧化层(03)，在所述隧道氧化层(03)上设有浮栅多晶层(04)，浮栅多晶层(04)覆盖在隧道氧化层(03)以及有源区隔离体(02)上，在所述浮栅多晶层(04)上设有ONO阻挡层(05)，在所述ONO阻挡层(05)上设有控制栅多晶层(06)；编程/擦除管漏区(09A)、编程/擦除管源区(09B)分别位于控制栅多晶层(06)的两侧，信号传输管漏区(09C)、信号传输管源区(09D)分别位于控制栅多晶层(06)的两侧；

在所述控制栅多晶层(06)的外侧设有侧墙(08)，所述侧墙(08)支撑于隧道氧化层(03)上，且侧墙(08)覆盖浮栅多晶层(04)、ONO阻挡层(05)以及控制栅多晶层(06)的外侧壁；

在阱(01)上方设有ILD介质层(14)，所述ILD介质层(14)压盖在控制栅多晶层(06)、侧墙(08)以及阱(01)上，在所述ILD介质层(14)上设有金属层(16)，所述金属层包括编程/擦除管金属体以及信号传输管金属体，所述编程/擦除管金属体包括与编程/擦除管漏区(09A)欧姆接触的编程/擦除管漏极金属(16A)以及与编程/擦除管源区(09B)欧姆接触的编程/擦除管源极金属(16B)，所述信号传输管金属体包括与信号传输管漏区(09C)欧姆接触的信号传输管漏极金属以及与信号传输管源区(09D)欧姆接触的信号传输管源极金属。

2.根据权利要求1所述一种多位扇出共栅型FLASH开关单元结构，其特征是：在所述编程/擦除管有源区(22)内设有编程/擦除管漏极LDD注入区(07A)以及编程/擦除管源极LDD注入区(07B)，编程/擦除管漏区(09A)位于编程/擦除管漏极LDD注入区(07A)内，编程/擦除管源区(09B)位于编程/擦除管源极LDD注入区(07B)；

在所述信号传输管有源区(11)内设有信号传输管漏极LDD注入区以及信号传输管源极LDD注入区，信号传输管漏区(09C)位于信号传输管漏极LDD注入区内，信号传输管源区(09D)位于信号传输管LDD注入区内。

3.根据权利要求1所述一种多位扇出共栅型FLASH开关单元结构，其特征是：在所述隧道氧化层(03)外圈设有SAB介质层(12)，在所述SAB介质层(12)内填充有编程/擦除管漏极连接金属硅化物(17A)以及编程/擦除管源极连接金属硅化物(17B)；在所述编程/擦除管漏极连接金属硅化物(17A)的正上方设有贯通ILD介质层(14)的编程/擦除管漏极连接填充体(15A)，编程/擦除管漏极金属(16A)通过编程/擦除管漏极连接填充体(15A)、编程/擦除管漏极连接金属硅化物(17A)与编程/擦除管漏区(09A)欧姆接触；在编程/擦除管源极连接金属硅化物(17B)的正上方设有贯通ILD介质层(14)的编程/擦除管源极连接填充体(15B)，编程/擦除管源极金属(16B)通过编程/擦除管源极连接填充体(15B)、编程/擦除管源极连接金属硅化物(17B)与编程/擦除管源区(09B)欧姆接触；

在控制栅多晶层(06)上设置控制栅连接金属硅化物(13)，所述控制栅连接金属硅化物(13)与编程/擦除管漏极连接金属硅化物(17A)、编程/擦除管源极连接金属硅化物(17B)为同一工艺制造层。