[发明专利]压控振荡器在审
申请号: | 202111591870.7 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114900128A | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 吴炎辉;徐振洋;兰庶;范麟;张陶;邱建波 | 申请(专利权)人: | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 |
主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12;H03B1/04;H03L7/099 |
代理公司: | 重庆渝之知识产权代理有限公司 50249 | 代理人: | 郑小龙 |
地址: | 400064 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压控振荡器 | ||
1.一种压控振荡器,其特征在于,包括:
负阻电路,提供能量以维持振荡;
电感电容谐振腔,接所述负阻电路,实现振荡并对振荡频率进行调节;
输出电路,接所述电感电容谐振腔,输出振荡信号;
其中,所述负阻电路具有反馈结构,通过所述反馈结构,所述负阻电路的部分噪声在输出端与输入端之间来回循环。
2.根据权利要求1所述的压控振荡器,其特征在于,所述负阻电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NPN三极管、第二NPN三级管、第一电阻及第二电阻,所述第一PMOS管的源极接电源电压,所述第一PMOS管的栅极接第一控制信号,所述第一PMOS管的漏极接所述第一NPN三极管的集电极,所述第一NPN三极管的基极经串接的所述第一电阻后接偏置电压,所述第一NPN三极管的发射极接所述第二PMOS管的源极,所述第二PMOS管的栅极接所述电感电容谐振腔的第二输入端,所述第二NPN三极管的集电极接所述第一NPN三极管的集电极,所述第二NPN三极管的基极经串接的所述第二电阻后接所述偏置电压,所述第二NPN三极管的发射极接所述第三PMOS管的源极,所述第三PMOS管的栅极接所述电感电容谐振腔的第一输入端。
3.根据权利要求2所述的压控振荡器,其特征在于,所述负阻电路还包括第一电容、第二电容、第三电容及第四电容,所述第二PMOS管的栅极还经串接的所述第一电容后接所述第二NPN三极管的基极,所述第三PMOS管的栅极还经串接的所述第二电容后接所述第一NPN三极管的基极,所述第三PMOS管的栅极还经串接的所述第三电容后接所述第二PMOS管的漏极,所述第二PMOS管的栅极还经串接的所述第四电容后接所述第三PMOS管的漏极,所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容、所述第四电容及对应的交叉连接方式构成所述反馈结构。
4.根据权利要求1或3所述的压控振荡器,其特征在于,所述电感电容谐振腔包括第一电感、连续调谐模块和开关电容,所述第一电感的差分第一端作为所述电感电容谐振腔的第一输入端,所述第一电感的差分第二端作为所述电感电容谐振腔的第二输入端,所述第一电感的共模端接地,所述连续调谐模块、所述开关电容分别与所述第一电感并联设置。
5.根据权利要求4所述的压控振荡器,其特征在于,所述连续调谐模块包括第一变容二极管、第二变容二极管、第三变容二极管、第四变容二极管、第三电阻及第四电阻,所述第一变容二极管的阳极接所述第一电感的差分第一端,所述第一变容二极管的阴极接所述第二变容二极管的阴极,所述第二变容二极管的阳极接所述第三变容二极管的阳极并接地,所述第三变容二极管的阴极接所述第四变容二极管的阴极,所述第四变容二极管的阳极接所述第一电感的差分第二端,所述第三电阻的一端接所述第一变容二极管的阴极,所述第三电阻的另一端接第二控制信号,所述第四电阻的一端接所述第三变容二极管的阴极,所述第四电阻的另一端接所述第二控制信号。
6.根据权利要求5所述的压控振荡器,其特征在于,所述开关电容包括并联设置的第一可控电容开关、第二可控电容开关、第三可控电容开关、第四可控电容开关及第五可控电容开关;所述第一可控电容开关包括第一NMOS管、第五电容、第六电容、第五电阻及第六电阻,所述第一NMOS管的栅极接第三控制信号的一次反相信号,所述第一NMOS管的源极经串接的所述第五电容后接所述第一电感的差分第一端,所述第一NMOS管的漏极经串接的所述第六电容后接所述第一电感的差分第二端,所述第一NMOS管的源极还经串接的所述第五电阻后接所述第三控制信号的两次反相信号,所述第一NMOS管的漏极还经串接的所述第六电阻后接所述第三控制信号的两次反相信号。
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