[发明专利]一种新型半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种新型半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

形成第一半导体材料层；

采用浸润气体对所述第一半导体材料层的表面进行浸润处理；

在浸润处理后的表面形成第二半导体材料层；

其中，所述第二半导体材料层中的第一元素含量大于所述第一半导体材料层中的第一元素含量；所述浸润气体包括形成Ⅳ族或者Ⅲ-Ⅴ族半导体材料时使用的气态反应前驱体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体材料层或所述第二半导体材料层为Ⅳ族或者Ⅲ-Ⅴ族材料形成的异质外延结构材料层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一半导体材料层为锗硅半导体材料层，所述第二半导体层为锗半导体材料层，所述浸润气体为锗烷或乙锗烷Ge₂H₆中的一种或两种的组合。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一半导体层为锗半导体材料层，所述第二半导体材料层为锗硅半导体材料层，所述浸润气体为二氯二氢硅烷DCS，三氯氢硅烷TCS，硅烷SiH₄，乙硅烷Si₂H₆或丙硅烷Si₃H₈中的一种或几种的混合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用浸润气体对所述第一半导体材料层的表面进行浸润处理包括：在350℃-950℃温度下采用浸润气体对所述第一半导体材料层的表面进行浸润处理。

6.根据权利要求1-5中的任意一项所述的方法，所述浸润气体还包括稀释气体。