[发明专利]键合装置和键合方法有效
申请号: | 202111594630.2 | 申请日: | 2021-12-24 |
公开(公告)号: | CN114005777B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 田应超;刘天建;曹瑞霞;张伟 | 申请(专利权)人: | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/60 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张雪;胡春光 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
1.一种键合装置,其特征在于,包括:
键合组件,包括:键合头以及贯穿所述键合头的第一光通路;其中,所述第一光通路的第一端位于所述键合头拾取第一待键合管芯的拾取面;
晶圆承载台,用于承载晶圆;
第一对准组件,用于在所述键合头位于第一位置时,确定所述拾取面相较于水平面的偏移量;
所述键合组件,还用于根据所述偏移量,驱动所述键合头移动至平行于水平面的第二位置;
所述第一对准组件,还用于在所述键合头位于第二位置时,通过所述第一光通路的第二端向所述第一端发射检测光信号;其中,拾取的所述第一待键合管芯覆盖所述第一端并反射所述检测光信号;
所述第一对准组件,还用于接收所述检测光信号经所述第一待键合管芯反射的反射光信号,并根据接收的所述反射光信号确定所述第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值;
第二对准组件,位于所述晶圆承载台相对远离所述键合组件的一侧,用于确定所述晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值;
所述晶圆承载台,还用于根据所述第一偏差值和所述第二偏差值,驱动承载的所述晶圆相对所述拾取面移动,以使所述第二待键合管芯对准所述第一待键合管芯;或者,所述键合组件,还用于根据所述第一偏差值和所述第二偏差值,驱动拾取所述第一待键合管芯的所述拾取面相对所述晶圆承载台移动,以使所述第一待键合管芯对准所述第二待键合管芯;
所述键合组件,还用于键合所述第一待键合管芯和所述第二待键合管芯。
2.根据权利要求1所述的键合装置,其特征在于,
所述键合头包括:垂直于所述拾取面的侧面、平行于所述拾取面的顶面、以及至少三个校准标记;其中,所述至少三个校准标记位于所述侧面或所述顶面,所述至少三个校准标记所在的平面平行于所述拾取面;
所述第一对准组件,具体用于根据所述至少三个校准标记和预设位置之间的子偏差,确定所述偏移量。
3.根据权利要求2所述的键合装置,其特征在于,
所述第一对准组件,具体用于在所述键合头位于所述第一位置时,获取包括第一个所述校准标记的第一图像,并根据所述第一图像确定第一个所述校准标记的位置与预设位置之间的第一子偏差;
所述键合组件,还用于驱动键合头旋转第一角度,以使所述第一对准组件能够获取到包括第二个所述校准标记的第二图像;
所述第一对准组件,具体还用于根据获取的所述第二图像,确定第二个所述校准标记的位置与所述预设位置之间的第二子偏差;
所述键合组件,还用于驱动所述键合头旋转第二角度,以使所述第一对准组件能够获取到包括第三个所述校准标记的第三图像;
所述第一对准组件,具体还用于根据获取的所述第三图像,确定第三个所述校准标记的位置与所述预设位置之间的第三子偏差,并根据所述第一子偏差、所述第二子偏差和所述第三子偏差,确定所述偏移量。
4.根据权利要求2所述的键合装置,其特征在于,
所述第一对准组件包括:至少三个对准器,每个所述对准器用于获取一个所述校准标记与预设位置之间的子偏差;
所述第一对准组件,具体用于根据至少三个所述子偏差确定所述偏移量。
5.根据权利要求1所述的键合装置,其特征在于,
所述键合头包括:垂直于所述拾取面的侧面、从所述侧面贯穿所述键合头的至少两条校准光通路;其中,所述至少两条校准光通路所在的平面平行于所述拾取面;
所述第一对准组件,具体用于根据所述至少两条校准光通路与水平面之间的子偏移,确定所述偏移量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室,未经湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造