[发明专利]用于CMOS图像传感器像素的方形栅极源极跟随器

权利要求书

1.一种源极跟随器晶体管，包括：

有源层，所述有源层包括漏极掺杂区域，所述漏极掺杂区域通过第一电流沟道与第一源极掺杂区域分离并且通过第二电流沟道与第二源极掺杂区域分离；以及

方形栅极层，所述方形栅极层包括：

第一主栅极区域，所述第一主栅极区域在所述第一电流沟道上方，设置于所述漏极掺杂区域的第一侧；

第二主栅极区域，所述第二主栅极区域在所述第二电流沟道上方，设置于与所述漏极掺杂区域的所述第一侧相对的所述漏极掺杂区域的第二侧；以及

侧栅极区域，所述侧栅极区域设置于所述漏极掺杂区域的第三侧，以将所述第一主栅极区域电耦合到所述第二主栅极区域。

2.根据权利要求1所述的源极跟随器晶体管，还包括：

边缘隔离区域，所述边缘隔离区域沿着对应于所述漏极区域的所述第三侧的所述源极跟随器晶体管的第一边缘延伸，使得所述侧栅极区域至少部分地与所述边缘隔离区域重叠。

3.根据权利要求2所述的源极跟随器晶体管，其中，所述边缘隔离区域是浅沟槽隔离(STI)区域。

4.根据权利要求1所述的源极跟随器晶体管，其中，所述侧栅极区域是第一侧栅极区域，并且所述源极跟随器晶体管还包括：

第二侧栅极区域，所述第二侧栅极区域设置在与所述漏极区域的所述第三侧相对的所述漏极区域的第四侧，以进一步将所述第一主栅极区域电耦合到所述第二主栅极区域。

5.根据权利要求4所述的源极跟随器晶体管，还包括：

第一边缘隔离区域，所述第一边缘隔离区域沿着对应于所述漏极区域的所述第三侧的所述源极跟随器晶体管的第一边缘延伸，使得所述第一侧栅极区域至少部分地与所述第一边缘隔离区域重叠；以及

第二边缘隔离区域，所述第二边缘隔离区域沿着对应于所述漏极区域的所述第四侧的所述源极跟随器晶体管的第二边缘延伸，使得所述第二侧栅极区域至少部分地与所述第二边缘隔离区域重叠。

6.根据权利要求1所述的源极跟随器晶体管，还包括：

漏极触点，所述漏极触点与所述漏极掺杂区域物理连接并电耦合；

第一源极触点，所述第一源极触点与所述第一源极掺杂区域物理连接并电耦合；

第二源极触点，所述第二源极触点与所述第二源极掺杂区域物理连接并电耦合；以及

栅极触点，所述栅极触点与所述第一主栅极区域物理连接并电耦合，并且经由所述侧栅极区域与所述第二主栅极区域电耦合。

7.根据权利要求1所述的源极跟随器晶体管，其中，所述第一电流沟道和所述第二电流沟道各自具有相同的标称沟道长度。

8.根据权利要求1所述的源极跟随器晶体管，其中：

所述源极跟随器晶体管具有宽度W；并且

所述第一电流沟道和所述第二电流沟道中的每个电流沟道都具有标称沟道长度(L)；并且

0.6W≤L≤W。

9.根据权利要求1所述的源极跟随器晶体管，其中：

所述有源层具有衬底结构；

所述漏极掺杂区域、所述第一源极掺杂区域和所述第二源极掺杂区域中的每一个掺杂区域是所述衬底结构的相应的n型掺杂区域；

所述第一电流沟道和所述第二电流沟道中的每一个电流沟道对应于所述衬底结构的相应的p型掺杂区域；

所述方形栅极层具有多晶硅结构；并且

所述多晶硅结构的所述第一主栅极区域和所述第二主栅极区域通过薄的二氧化硅层与所述第一电流沟道和所述第二电流沟道隔离。