[发明专利]一种ZnO基复合材料及其制备方法和QLED器件有效
| 申请号： | 202111598097.7 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114300630B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;王书杰;张肖月;方岩 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H10K50/16 | 分类号： | H10K50/16;H10K50/115;H10K71/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 复合材料 及其 制备 方法 qled 器件 | ||
1.一种QLED器件，由上层至下层依次包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；所述电子传输层的材质为ZnO基复合材料；
所述ZnO基复合材料，包括ZnO纳米颗粒，以及依次包覆于所述ZnO纳米颗粒表面的SiO2包覆层和胺基修饰SiO2包覆层；所述SiO2包覆层和胺基修饰SiO2包覆层的质量比为(1～7)：1。
2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述ZnO纳米颗粒与SiO2包覆层的质量比为100：(0.1～20)。
3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述SiO2包覆层和胺基修饰SiO2包覆层的总平均厚度为0.1～3nm。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的QLED器件，其特征在于，所述ZnO基复合材料的平均粒径为3～6nm。
5.如权利要求1～4任意一项所述的QLED器件，其特征在于，所述ZnO基复合材料的制备方法，包括如下步骤：
(1)将ZnO纳米颗粒与硅源和溶剂混合进行水解反应，得到SiO2包覆ZnO纳米颗粒的混合液；
(2)将所述步骤(1)得到的SiO2包覆ZnO纳米颗粒的混合液与氨基硅源混合后进行水解反应，得到ZnO基复合材料。
6.根据权利要求5所述的QLED器件，其特征在于，所述步骤(1)和步骤(2)中的水解反应的温度独立地为0～90℃，水解反应的时间独立地为10min～10h。
7.根据权利要求5所述的QLED器件，其特征在于，所述步骤(1)中的硅源为原硅酸乙酯、原硅酸甲酯和原硅酸丙酯中的一种。
8.根据权利要求5所述的QLED器件，其特征在于，所述步骤(1)中的溶剂为无水乙醇和二甲基亚砜的混合溶液。
9.根据权利要求5所述的QLED器件，其特征在于，所述步骤(2)中的氨基硅源包括3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷和3-(甲基丙烯酰基)丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
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