[发明专利]一种频域选择性光吸收电光调控装置在审
| 申请号： | 202111598641.8 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114265257A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 刘晓山;王静蕾;杨虹;邹泽旭;袁亮栋;李梓钰;刘正奇;刘桂强 | 申请（专利权）人： | 江西师范大学 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35;G02F1/361;G02B5/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 许攀 |
| 地址： | 330096 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 光吸收 电光 调控 装置 | ||
1.一种频域选择性光吸收电光调控装置，其特征在于，包括衬底、金属镜面层、非线性介电层、光吸收超结构层，所述金属镜面层置于所述衬底上，所述非线性介电层置于所述金属镜面层上，所述光吸收超结构层置于所述非线性介电层上。
2.如权利要求1所述的频域选择性光吸收电光调控装置，其特征在于：所述非线性介电层的材料为对甲苯磺酸4-二甲氨基-n-甲基-4-芪巴唑。
3.如权利要求1所述的频域选择性光吸收电光调控装置，其特征在于：所述金属镜面层的材料为金属。
4.如权利要求1所述的频域选择性光吸收电光调控装置，其特征在于：所述衬底为柔性透明材料。
5.如权利要求1-5任一项所述的频域选择性光吸收电光调控装置，其特征在于：所述光吸收超结构层包括周期性排列的微结构单元和透明导电膜层，所述透明导电膜层置于所述非线性介电层上，所述微结构单元置于所述透明导电膜层内所述非线性介电层上。
6.如权利要求5所述的频域选择性光吸收电光调控装置，其特征在于：所述周期为四方阵列。
7.如权利要求5所述的频域选择性光吸收电光调控装置，其特征在于：所述透明导电膜层的材料为氧化铟锡。
8.如权利要求5所述的频域选择性光吸收电光调控装置，其特征在于：所述相邻微结构单元之间的距离大于100纳米。
9.如权利要求5所述的频域选择性光吸收电光调控装置，其特征在于：所述微结构单元的材料为金或银。
10.如权利要求5所述的频域选择性光吸收电光调控装置，其特征在于：所述微结构单元为锥形。
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