[发明专利]一种体声波谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种体声波谐振器，至少包括：

衬底；

底电极层，所述底电极层和衬底之间具有声波反射结构；

顶电极层，所述顶电极层位于底电极层的上方；

压电层，所述压电层位于所述底电极层和顶电极层之间；

其特征在于，从所述压电层投影到所述衬底的角度来看，所述压电层的至少部分区域具有断裂区域，所述断裂区域具有相对的第一边缘和第二边缘，所述第一边缘不超过所述顶电极层的边缘，所述第二边缘延伸至所述底电极层的边缘以外，所述断裂区域内含有不同于构成压电层的材料的轰击离子。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述轰击离子包括气体原子形成的离子。

3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述轰击离子包括N^3-、O^2-、F^-、He⁺和Ne⁺离子中的至少一种或几种的组合。

4.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述轰击离子包括原子质量大于或等于氩原子的原子质量的离子。

5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，所述轰击离子包括Ar⁺、Kr⁺、Xe⁺和Rn⁺离子中的至少一种或几种的组合。

6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的至少一侧具有断裂区域。

7.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述断裂区域环形覆盖压电层。

8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述轰击离子占压电层材料的原子数比为0.1％～50％。

9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述断裂区域的第一边缘与顶电极层的边缘的距离范围为0～5μm。

10.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述断裂区域的第二边缘与底电极层的边缘的距离范围是0～5μm。

11.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述断裂区域的水平宽度范围为1～10μm。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述断裂区域包括位于所述压电层中的单层断裂层。

13.根据权利要求12所述的体声波谐振器，其特征在于，所述单层断裂层位于所述压电层靠近顶电极层一侧的表面。

14.根据权利要求12所述的体声波谐振器，其特征在于，所述单层断裂层位于所述压电层的一定深度内。

15.根据权利要求1-11中任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述断裂区域包括间隔设置在压电层的不同深度处的多层断裂层，并且所述多层断裂层中的至少一层位于所述压电层靠近顶电极一侧的表面。

16.根据权利要求1-11中任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述压电层采用掺杂稀土元素的压电材料制成。

17.根据权利要求1-11中任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述声波反射结构包括空腔或布拉格反射结构。

18.根据权利要求1-11中任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极和声波反射结构之间还具有种子层。