[发明专利]可挠曲电子装置在审

专利信息
申请号: 202111600588.0 申请日: 2019-08-22
公开(公告)号: CN114187843A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 吴湲琳 申请(专利权)人: 群创光电股份有限公司
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/00;H01L51/52
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 挠曲 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种可挠曲电子装置,其特征在于,包括:

一支撑基板;

一第一可挠曲基板,设置在所述支撑基板上;

一半导体层,设置在所述第一可挠曲基板上;

一第一绝缘层,设置在所述第一可挠曲基板与所述半导体层之间,且具有一第一开口;以及

一保护层,设置在所述半导体层上;

其中,所述保护层的一部分设置在所述第一开口中。

2.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置,其特征在于,还包括一第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层与所述半导体层之间。

3.根据权利要求2所述的可挠曲电子装置,其特征在于,所述第二绝缘层具有一第二开口,所述第二开口与所述第一开口重叠。

4.根据权利要求3所述的可挠曲电子装置,其特征在于,所述保护层的所述部分设置在所述第二开口中。

5.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置,其特征在于,所述第一可挠曲基板具有至少一凹槽。

6.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置,其特征在于,还包括一第二可挠曲基板,设置在所述第一可挠曲基板与所述支撑基板之间。

7.根据权利要求6所述的可挠曲电子装置,其特征在于,还包括一第一氧化层,设置在所述第一可挠曲基板与所述第二可挠曲基板之间。

8.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置,其特征在于,还包括一第二氧化层,设置在所述第一可挠曲基板与所述第一绝缘层之间。

9.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置,其特征在于,所述第一可挠曲基板的材料至少包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及聚芳酯的其中之一。

10.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置,其特征在于,还包括一发光单元,设置在所述半导体层上,其中所述保护层设置在所述发光单元上。

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