[发明专利]微显示芯片阵列的制作方法在审
| 申请号： | 202111600644.0 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114373835A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 岳大川 | 申请（专利权）人： | 季华实验室 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/22 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 田媛 |
| 地址： | 528000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 芯片 阵列 制作方法 | ||
1.一种微显示芯片阵列的制作方法，包括
第1步、在衬底上形成缓冲层，在该缓冲层上依次沉积第一刻蚀层、第二刻蚀层；
第2步、采用干法刻蚀工艺，利用掩膜在所述的第二刻蚀层上形成若干个图形化的窗口；
第3步、采用湿法刻蚀工艺，去除暴露在所述的窗口处的第一刻蚀层材料，使所述的窗口中的缓冲层暴露；
第4步、在所述的窗口中选择性外延，依次生长n-GaN、MWQ和P-GaN层，形成LED像素单元，完成MESA工艺。
2.根据权利要求1所述的微显示芯片阵列的制作方法，其特征在于：所述的第2步中，进一步还包括：
第2.1步、以第一速率对所述的第二刻蚀层进行高速刻蚀；
第2.2步、在所述的第二刻蚀层蚀刻深度超过50%后，以第二速率继续进行低速刻蚀，直至接触到所述的第一刻蚀层；
其中，所述第一速率大于所述第二速率，所述低速刻蚀步骤中的选择比大于所述高速刻蚀的选择比。
3.根据权利要求1所述的微显示芯片阵列的制作方法，其特征在于：所述的第3步中，湿法刻蚀时间在3-300s之间。
4.根据权利要求1所述的微显示芯片阵列的制作方法，其特征在于：所述的第一刻蚀层和第二刻蚀层采用PECVD或ALD工艺沉积而成。
5.根据权利要求1所述的微显示芯片阵列的制作方法，其特征在于：在所述的第4步中，采用MOCVD工艺生长所述的n-GaN、MWQ和P-GaN层。
6.根据权利要求1所述的微显示芯片阵列的制作方法，其特征在于：所述的衬底为蓝宝石或硅基材料。
7.根据权利要求1所述的微显示芯片阵列的制作方法，其特征在于：所述的第一刻蚀层选自SiO2, SIN, SION, AL2O3, TiO2材料中的一种。
8.根据权利要求1所述的微显示芯片阵列的制作方法，其特征在于：所述的第二刻蚀层选自SiO2, SIN, SION, AL2O3, TiO2材料中的一种。
9.根据权利要求1所述的微显示芯片阵列的制作方法，其特征在于：所述的窗口呈圆形、矩形或多边形。
10.权利要求9所述的微显示芯片阵列的制作方法，其特征在于：所述的窗口的截面积自所述的第二刻蚀层向所述衬底逐渐增大。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于季华实验室，未经季华实验室许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111600644.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
