[发明专利]可挠曲电子装置

权利要求书

1.一种可挠曲电子装置，其特征在于，包括：

一支撑基板；

一第一可挠曲基板，设置在所述支撑基板上；

一第一氧化层，设置在所述第一可挠曲基板与所述支撑基板之间；

一第二氧化层，直接位于所述第一可挠曲基板相对于所述第一氧化层的表面上；以及

一电子结构，设置在所述第二氧化层上；

其中，所述第一氧化层的一第一厚度与所述第二氧化层的一第二厚度的总和对所述第一可挠曲基板的一第三厚度的比值介于0.1到0.5之间。

2.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置，其特征在于，还包括：

一第一绝缘层，设置在所述第二氧化层与所述电子结构之间；以及

一第二绝缘层，设置在所述第二氧化层与所述第一绝缘层之间；

其中，所述第二厚度、所述第二绝缘层的一第四厚度与所述第一绝缘层的一第五厚度的总和对所述第一厚度的比值介于0.5到2之间。

3.根据权利要求2所述的可挠曲电子装置，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氮氧化铝。

4.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置，其特征在于，所述第三厚度对所述第一厚度的比值介于3到15之间。

5.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置，其特征在于，还包括一第二可挠曲基板，设置在所述第一氧化层与所述支撑基板之间。

6.根据权利要求5所述的可挠曲电子装置，其特征在于，所述第三厚度对所述第二可挠曲基板的一第六厚度的比值介于0.4到1.2之间。

7.根据权利要求5所述的可挠曲电子装置，其特征在于，所述第一氧化层的所述第一厚度对所述第三厚度、所述第一厚度与所述第二可挠曲基板的一第六厚度的总和的比值介于0.02到0.15之间。

8.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置，其特征在于，所述第一可挠曲基板的材料至少包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及聚芳酯的其中之一。

9.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置，其特征在于，所述第二厚度对所述第一厚度的比值大于或等于0.2且小于1。

10.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置，其特征在于，所述第一氧化层的一底表面沿着一水平方向具有一第一宽度，所述第二氧化层的一底表面沿着所述水平方向具有一第二宽度，其中所述第一宽度大于所述第二宽度。