[发明专利]一种微波薄膜集成电路的制备方法

权利要求书

1.一种微波薄膜集成电路的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在陶瓷基片的表面进行金属化处理，形成金属复合膜层；

所述金属复合膜层中，底层与所述陶瓷基片的表面接触，表层背离所述陶瓷基片；

所述金属复合膜层的表层为Au膜层；

S2、在所述金属复合膜层的表面附着光刻胶，并去除电路图形区域的光刻胶使电路图形区域的金属复合膜层露出，保留非电路图形区域的光刻胶；

S3、对步骤S2所得电路板进行电镀金，在电路图形区域露出的金属复合膜层的表面形成镀金层；

S4、对步骤S3所得电路板进行真空溅射，在电路图形区域的镀金层表面和非电路图形区域的光刻胶表面形成抗刻蚀金属掩膜保护层；

所述抗刻蚀金属掩膜保护层为TiW合金层；

S5、去除非电路图形区域的光刻胶和光刻胶表面的抗刻蚀金属掩膜保护层，露出金属复合膜层；

S6、去除非电路图形区域露出的金属复合膜层中的表层；

S7、去除电路图形区域附着的抗刻蚀金属掩膜保护层；

S8、去除非电路图形区域露出的金属复合膜层中的其它层，得到微波薄膜集成电路基板。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述金属复合膜层选自：TaN-TiW-Au复合膜、TaN-TiW-Ni-Au复合膜、TiW-Au复合膜、TiW-Ni-Au复合膜、TaN-TiW-Ni-Au复合膜、Ti-Pt-Au复合膜、NiCr-Au复合膜或NiCr-Ni-Au复合膜。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述电镀金的过程包括：

a)先依次用除油剂和水进行清洗，再利用酸液进行酸浸活化，之后再次用水清洗；

b)在电流密度0.1～0.3A/dm²下进行电镀，形成镀金层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述酸液的质量浓度为5％～10％；

所述酸液选自盐酸溶液；

所述步骤b)中，所述镀金层的厚度为3～5μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述真空溅射的条件为：

溅射前对电路板进行干燥；所述干燥的温度为80～120℃；

溅射采用的靶材为TiW合金靶材；

溅射在保护性气体环境中进行，所述保护性气体的流量为10～60sccm；溅射的真空度为0.1～0.2Pa；

所溅射的抗刻蚀金属掩膜保护层的厚度为0.2～0.5μm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述去除的方式为：

将步骤S4所得电路板先在丙酮液中进行第一次浸泡，再放入超声设备中进行第一次超声处理，然后，再另取丙酮液进行第二次浸泡，再放入超声设备中进行第二次超声处理；之后，用水清洗，再于沸水中煮，最后干燥。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中，所述去除的方式为：

将步骤S5所得电路板置于腐蚀液中进行浸泡处理，直至非电路图形区域露出的金属复合膜层中的表层被腐蚀干净为止；

所述腐蚀液为：碘、碘化钾和水的混合液；所述碘、碘化钾和水的用量比为1g∶4g∶(20～40)mL。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S7中，所述去除的方式为：

将步骤S6所得电路板置于钛钨腐蚀液中进行腐蚀；

所述钛钨腐蚀液为双氧水溶液，腐蚀温度为80～100℃，时间为30～50s。