[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底上的栅叠层结构；其中，所述栅叠层结构包括：

高K介质层；

与所述高K介质层接触的第一阻挡层；

位于所述高K介质层远离所述衬底一侧的功函数层；

位于所述功函数层远离衬底一侧的栅电极层；

其中，所述第一阻挡层包含与高K介质层的相同的金属元素。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一阻挡层位于所述高K介质层靠近所述衬底的一侧。

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，还包括：位于所述高K介质层远离所述衬底的一侧，且与所述高K介质层相接触的第二阻挡层。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一阻挡层位于所述高K介质层远离衬底一侧。

5.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述第一阻挡层包括氧化镧铪层，所述第二阻挡层包括氧化镧铪层。

6.根据权利要求1至5任一项所述的结构，其特征在于，所述高K介质层包括氧化硅铪层、氮氧化硅铪层、氧化钽铪层、氧化钛铪层、氧化锆铪层中的至少一层。

7.根据权利要求1至5任一项所述的结构，其特征在于，所述栅电极层包括氮化钛层。

8.根据权利要求1至5任一项所述的结构，其特征在于，所述栅叠层结构还包括：在所述衬底上形成的绝缘层，其中，所述绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层中的至少一层。

9.根据权利要求1至5任一项所述的结构，其特征在于，还包括：

位于所述栅叠层结构两侧的侧墙结构；其中，所述侧墙结构包括氮化层。

10.根据权利要求1至5任一项所述的结构，其特征在于，所述高K介质层的厚度为20至所述第一阻挡层的厚度为2至所述栅电极层的厚度为2至

11.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述绝缘层的厚度为10至

12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成高K介质层和与所述高K介质层接触的第一阻挡层；

在所述高K介质层远离所述衬底一侧形成功函数层；

在所述功函数层上形成栅电极层，以在所述衬底上形成栅叠层结构；

其中，所述第一阻挡层包含与高K介质层的相同的金属元素。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成高K介质层和与所述高K介质层接触的第一阻挡层，包括：

在所述衬底上形成与所述衬底接触的第一阻挡层；

在所述第一阻挡层上形成与所述第一阻挡层接触的所述高K介质层；

所述在所述高K介质层远离所述衬底一侧形成功函数层，包括：

在所述高K介质层上形成与所述高K介质层接触的所述功函数层。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括：在所述高K介质层上形成与所述高K介质层接触的第二阻挡层；

所述在所述高K介质层远离所述衬底一侧形成功函数层，包括：

在所述第二阻挡层上形成与所述第二阻挡层接触的所述功函数层。

15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成高K介质层和与所述高K介质层接触的第一阻挡层，包括：

在所述衬底上形成与所述衬底接触的高K介质层；

在所述高K介质层上形成与所述高K介质层接触的所述第一阻挡层；

所述在所述高K介质层远离所述衬底一侧形成功函数层，包括：

在所述第一阻挡层上形成与所述第一阻挡层接触的所述功函数层。