[发明专利]TOP型高性能麦克风

说明书

本发明提供一种TOP型高性能麦克风，包括基板组件和设置在所述基板组件上与所述基板组件形成封装结构的外壳，在所述基板组件上设置有收容在封装结构内的麦克风组件；其中，在所述外壳上开设有声孔，在所述基板组件的内部开设有背腔，所述麦克风组件的振膜远离所述声孔的一侧与所述背腔连通；并且，在所述基板组件上还设置有滤波组件。本发明提供的TOP型高性能麦克风能够解决现有的TOP型高性能封装结构的麦克风的抗RF能力低的问题。

技术领域

本发明涉及声学设备技术领域，更为具体地，涉及一种TOP型高性能麦克风。

背景技术

在麦克风设备制作领域，为提升麦克风的声学性能，TOP型高性能封装结构的麦克风应运而生，现有的TOP型高性能封装结构的麦克风结构如图1所示，是通过三层板的倒装结构实现的TOP型高性能封装，包括BASE板1’(基板)和WALL板2’(墙板)构成的外壳以及LID板3’(盖板)，麦克风组件贴装在LID板上，并使其麦克风振膜与声孔上下位置对应，通过这种设置，能够使麦克风的背腔(即振膜远离声孔一侧的腔体)显著增大，从而实现麦克风的TOP型高性能封装。

然而，现有的这种麦克风TOP型高性能封装结构，虽然能够显著提升麦克风的声学性能，但是，由于采用了三层板的倒装结构(即麦克风组件设置在盖板上)，并未使用金属外壳；因此，其抗RF(抗射频干扰)能力远远低于常规封装的麦克风产品。

基于上述技术需求，亟需一种能够有效提升的现有的TOP型高性能封装结构的麦克风的抗RF能力的方法。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种TOP型高性能麦克风，以解决现有的TOP型高性能封装结构的麦克风的抗RF能力低的问题。

本发明提供的TOP型高性能麦克风，包括基板组件和设置在所述基板组件上与所述基板组件形成封装结构的外壳，在所述基板组件上设置有收容在封装结构内的麦克风组件；其中，

在所述外壳上开设有声孔，在所述基板组件的内部开设有背腔，所述麦克风组件的振膜远离所述声孔的一侧与所述背腔连通；并且，

在所述基板组件上设置有滤波组件。

此外，优选的方案是，所述麦克风组件包括设置在所述基板组件上的MEMS芯片和ASIC芯片；其中，所述MEMS芯片的振膜远离所述声孔的一侧与所述背腔连通。

此外，优选的方案是，所述ASIC芯片通过导线分别与所述MEMS芯片以及所述基板组件电性连接。

此外，优选的方案是，所述滤波组件包括RC滤波电路组件；

所述RC滤波电路组件包括第一电阻、第二电阻、第一电容以及第二电容；其中，所述第一电阻电性连接在所述ASIC芯片与外部输出端之间，所述第二电阻电性连接在所述ASIC芯片与外部电源端之间，所述第一电容电性连接在所述外部电源端与接地端之间，所述第二电容电性连接在所述外部输出端与接地端之间。

此外，优选的方案是，所述第一电阻和所述第二电阻采用埋阻的方式设置在所述基板组件内，所述第一电容和所述第二电容采用埋容的方式设置在所述基板组件内。

此外，优选的方案是，所述第一电阻和所述第二电阻均为贴装在所述基板组件上的片式电阻，所述第一电容和所述第二电容均为贴装在所述基板组件上的陶瓷电容。

此外，优选的方案是，所述第一电阻和所述第二电阻均为通过molding方式设置在所述基板组件的内部的内置电阻，所述第一电容和所述第二电容均为通过molding方式设置在所述基板组件的内部的内置电容。

此外，优选的方案是，所述滤波组件包括磁珠滤波组件；

所述磁珠滤波组件包括第一磁珠和第二磁珠；其中，所述第一磁珠电性电性连接在所述ASIC芯片与外部电源端之间，所述第二磁珠电性连接在所述SIC芯片与外部输出端之间。