[发明专利]保护涂层形成方法、管状连接件以及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种保护涂层形成方法，其用于在管状连接件的内表面形成保护涂层，其特征在于，包括：

将所述保护涂层的液态前驱体覆盖在所述管状连接件的内表面；

对所述管状连接件进行热处理，使所述液态前驱体固化形成所述保护涂层；

其中，所述保护涂层为含氟聚合物涂层；

所述保护涂层形成方法还包括制备所述液态前驱体的步骤，其包括：

将含氟聚合物树脂、表面活性剂和去离子水混合并搅拌，形成第一乳浊液；其中，所述第一乳浊液中的所述含氟聚合物树脂的质量分数大于等于30％，且小于等于85％；所述表面活性剂的质量分数大于等于2％，且小于等于15％；所述含氟聚合物树脂为聚四氟乙烯树脂或乙烯-四氟乙烯共聚物树脂；

将所述第一乳浊液、所述去离子水和掺杂剂混合，形成第二乳浊液；

将所述第二乳浊液在预设搅拌温度下搅拌预设搅拌时长，形成所述液态前驱体；其中，所述第二乳浊液中的掺杂剂的质量分数大于等于10％，且小于等于50％；所述预设搅拌时长大于等于3h，且小于等于10h；所述预设搅拌温度大于等于50℃，且小于等于150℃；所述掺杂剂为二氧化硅或镍铜合金；

所述第一乳浊液和所述第二乳浊液的pH值范围均为8-14。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述管状连接件的内径大于10mm，所述将所述保护涂层的液态前驱体覆盖在所述管状连接件的内表面的步骤包括：

涂覆步骤，将所述液态前驱体喷淋于所述内表面，直至所述液态前驱体覆盖所述内表面；

烘干步骤，烘干所述内表面上的所述液态前驱体；

循环所述涂覆步骤和所述烘干步骤，直到所述保护涂层的厚度达到预设厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述管状连接件的内径小于等于10mm，所述将所述保护涂层的液态前驱体覆盖在所述管状连接件的内表面的步骤包括：

涂覆步骤，使所述液态前驱体在所述管状连接件内循环流动；

烘干步骤，烘干所述内表面上的所述液态前驱体；

循环所述涂覆步骤和所述烘干步骤，直到所述保护涂层的厚度达到预设厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述涂覆步骤包括：

将容纳所述液态前驱体的液池、所述管状连接件和驱动装置通过多条转接管路连接，以形成闭环的流通通道；

控制所述驱动装置的驱动方向，使所述液态前驱体在所述流通通道内循环流动。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理的温度大于等于200℃，且小于等于400℃；所述热处理的时长大于等于30分钟，且小于等于90分钟。

6.一种管状连接件，其用于向半导体设备的工艺腔室通入工艺气体，所述工艺腔室内部具有等离子体环境；其特征在于，包括管状连接件本体和保护涂层；其中，所述保护涂层覆盖于所述管状连接件本体的内表面，所述保护涂层采用如权利要求1-5任意一项所述的形成方法制成。

7.根据权利要求6所述的管状连接件，其特征在于，所述含氟聚合物涂层的厚度大于0μm，且小于100μm。

8.根据权利要求6所述的管状连接件，其特征在于，所述管状连接件本体材料包括不锈钢。

9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室；

所述工艺腔室包括腔室本体、介质窗、喷嘴和如权利要求6-8任意一项所述的管状连接件；

所述介质窗设置于所述腔室本体的上方，所述介质窗的中部设置有安装孔，所述喷嘴插入所述安装孔中；所述管状连接件的出气端与所述喷嘴的进气端连接，用于向所述腔室本体内通入工艺气体。

10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述管状连接件的进气端与转接块连接，所述转接块通过气体管路与工艺气体源连接。