[发明专利]感光电路结构和光学器件

权利要求书

1.一种感光电路结构，其特征在于，包括感光单元、信号放大单元和控制单元；所述感光单元包括光电二极管与复位晶体管，所述信号放大单元包括放大晶体管，所述控制单元包括控制晶体管；

所述复位晶体管的输入端与供电端电连接，所述复位晶体管的输出端与所述放大晶体管的控制端电连接，所述复位晶体管的控制端与复位信号端电连接；所述放大晶体管的输入端与所述供电端电连接，所述放大晶体管的输出端与所述控制晶体管的输入端电连接，所述控制晶体管的控制端与控制信号端电连接；

所述复位晶体管的漏电流小于所述放大晶体管的漏电流，且所述控制晶体管的漏电流小于所述放大晶体管的漏电流；

所述复位晶体管的载流子迁移率小于所述放大晶体管的载流子迁移率，且所述复位晶体管的载流子迁移率小于所述控制晶体管的载流子迁移率。

2.根据权利要求1所述的感光电路结构，其特征在于，所述光电二极管的正极与反向偏置电压端电连接，所述光电二极管的负极电连接在所述复位晶体管的输出端和所述放大晶体管的控制端之间；

所述感光单元还包括存储电容，所述存储电容的第一电极与所述光电二极管的正极电连接，所述存储电容的第二电极与所述光电二极管的负极电连接。

3.根据权利要求1所述的感光电路结构，其特征在于，还包括运算放大单元，所述控制单元的输出端与所述运算放大单元的输入端电连接；

优选的，所述感光电路结构还包括分压单元，所述分压单元的输入端电连接在所述控制单元的输出端和所述运算放大单元的输入端之间，所述分压单元的输出端与地线电连接。

4.根据权利要求1所述的感光电路结构，其特征在于，所述复位晶体管为金属氧化物晶体管或非晶硅晶体管；

所述放大晶体管为低温多晶硅晶体管、高迁金属氧化物晶体管、碳化硅晶体管、碳纳米管晶体管中的任一种；

所述控制晶体管为N型高迁金属氧化物晶体管、P型低温多晶硅晶体管、P型碳纳米管晶体管中的任一种。

5.根据权利要求1或4所述的感光电路结构，其特征在于，所述复位晶体管的有源层包括铟镓锌氧化物和/或铟锡锌氧化物；

所述放大晶体管和/或所述控制晶体管的有源层包括ITZO、IGXO、多晶IGZO中的至少一种，其中，X为铜铝合金。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的感光电路结构，其特征在于，所述感光电路结构包括至少两个缓冲层；所述复位晶体管、放大晶体管与控制晶体管三者中的至少两个采用不同的有源层并分别位于两个不同的所述缓冲层上。

7.根据权利要求6所述的感光电路结构，其特征在于，至少两个所述缓冲层包括第一缓冲层与第二缓冲层，所述复位晶体管设置于第一缓冲层上；

所述第二缓冲层位于所述第一缓冲层背离所述复位晶体管的一侧，所述控制晶体管和/或所述放大晶体管设置于所述第二缓冲层上；

所述复位晶体管、所述放大晶体管两者在所述第二缓冲层上的正投影之间具有间距；或，所述复位晶体管、所述控制晶体管两者在所述第二缓冲层上的正投影之间具有间距。

8.根据权利要求7所述的感光电路结构，其特征在于，所述复位晶体管包括第一源极、第一漏极、第一栅极和设置在所述第一缓冲层上的第一有源层，所述第一源极和所述第一漏极均与所述第一有源层电连接，所述第一源极为所述复位晶体管的输入端，所述第一漏极为所述复位晶体管的输出端，所述光电二极管的负极与所述第一漏极电连接，所述第一栅极和所述第一有源层之间设置有第一栅极绝缘层；

所述放大晶体管和/或所述控制晶体管包括第二源极、第二漏极、第二栅极和设置在所述第二缓冲层上的第二有源层，所述第二源极和所述第二漏极均与所述第二有源层电连接，所述第二源极为所述放大晶体管和/或所述控制晶体管的输入端，所述第二漏极为所述放大晶体管和/或所述控制晶体管的输出端，所述第二栅极和所述第二有源层之间设置有第二栅极绝缘层；

所述第一有源层和所述第一栅极远离所述第一缓冲层的一侧设置有层间介质层，所述层间介质层远离所述第二缓冲层的一侧还设置有第一钝化层。