[发明专利]一种用于提升开关电源带载能力的电路在审
申请号: | 202111604995.9 | 申请日: | 2021-12-24 |
公开(公告)号: | CN114285251A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 郭仲杰;刘申;刘楠;卢沪;邱子忆;李梦丽;曹喜涛 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 李红霖 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 提升 开关电源 能力 电路 | ||
1.一种用于提升开关电源带载能力的电路,其特征在于,包括斜坡电压产生电路、电压采样电路、V-I转换电路和电流减法电路;
所述斜坡电压产生电路与所述电压采样电路相连,所述电压采样电路与所述V-I转换电路相连,所述V-I转换电路与所述电流减法电路相连;所述斜坡电压产生电路产生与斜坡补偿电压相同的斜坡电压,在每个周期末对斜坡电压进行刷新重置前,通过所述电压采样电路对斜坡补偿电压进行采样和保持,并将斜坡补偿电压的最终电压值作为下一周期产生直流电流的电压,再通过V-I转换电路将斜坡补偿电压转换为直流电流,根据电流采样模块采样出来的采样电流,通过所述电流减法电路将采样电流减去直流电流。
2.根据权利要求1所述的用于提升开关电源带载能力的电路,其特征在于,所述斜坡电压产生电路包括第一电流源Iref1、第二电流源Iref2、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3及电容C1;第一电流源Iref1的输出接MOS管M2的源端,MOS管M2的漏端接MOS管M3的栅极、MOS管M1的漏端以及电容C1的一端,MOS管M2的栅极接主开关管的栅极信号,MOS管M1的源端接地,MOS管M1的栅极接开关电源控制系统的时钟信号,周期性对电容C1的两端压差进行刷新,MOS管M3的漏端接地,MOS管M3的源端接采样开关S1和第二电流源Iref2,第二电流源Iref2控制M3的Vgs_M3恒定。
3.根据权利要求2所述的用于提升开关电源带载能力的电路,其特征在于,所述电压采样电路包括开关S1和电容C2,开关S1的一端连接MOS管M3的源端,开关S1的另一端连接电容C2的一端以及V-I转换电路中MOS管M4的栅极,电容C2的另一端接地,开关S1导通后,电容C2上的电压与MOS管M3的源端电压相等,开关S1关断后,电容C2上电压保持为MOS管M3的源端电压。
4.根据权利要求3所述的用于提升开关电源带载能力的电路,其特征在于,所述V-I转换电路包括MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10以及电阻R1,MOS管M4的栅极接电压采样电路的采样信号,MOS管M4的漏端接MOS管M6的漏端以及其栅极和MOS管M7的栅极,MOS管M6和MOS管M7的源端接电源电压,MOS管M7的漏端接MOS管M5的漏端以及MOS管M9的栅极,MOS管M9的源端接MOS管M5的栅极以及电阻R1的一端,电阻R1的另一端接地,MOS管M9的漏端接MOS管M10的漏端和栅极以及MOS管M11的栅极,MOS管M10和MOS管M11的源端均接电源电压,MOS管M4和MOS管M5的源端接MOS管M8的漏端,MOS管M8的源端接地,栅极接偏置电压控制M8的电流大小,V-I转换电路最终转换的电流为I1。
5.根据权利要求4所述的用于提升开关电源带载能力的电路,其特征在于,V-I转换电路最终转换的电流I1的表达式如公式(1)所示:
其中,V1为MOS管M5的栅极电压。
6.根据权利要求4所述的用于提升开关电源带载能力的电路,其特征在于,所述电流减法电路包括MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16、MOS管M0、电阻R2、电阻R0和一个第三电流源Iref3,第三电流源Iref3的输出连接MOS管M12的漏端和栅极以及MOS管M13的栅极,MOS管M12的源端接MOS管M14的漏端和栅极以及MOS管M15的栅极,MOS管M14和MOS管M15的源端接地,MOS管M15的漏端接MOS管M13的源端,MOS管M13的漏端接电阻R2的一端,电阻R2另一端接MOS管M11的漏端和MOS管M16的漏端以及栅极和MOS管M0的栅极,MOS管M16和MOS管M0的源端均接地,MOS管M0的漏端接电阻R0和电流采样模块的输出。
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