[发明专利]一种A-D-A型有机半导体聚合物材料的合成新方法

权利要求书

1.一种聚合物有机半导体材料的合成新方法，其特征在于合成具有下列结构通式的聚合物受体结构。

2.根据权利要求1所述的聚合物结构，其特征在于D为芳环基团或由所述芳环基团连接而成，基团D选自下述单元中的任一种：

其中，R1-R6均独立地选自H、卤素、碳原子数为1～30的直链或支链的烷基或烷氧基、烷硫基、硅烷基，以及烷基或烷氧基、烷硫基、硅烷取代的芳基；所述芳基可以为苯环或者噻吩环；所述卤素可为F、Br或者Cl；X₁-X₃均独立地选自O、S、Se、Te中的一种。

3.根据权利要求1所述的聚合物有机半导体材料，其特征在于A₁和A₂独立地选自下述单元中的任一种：

其中，R₇-R₁₀独立地选自F、Cl、Br、I、CN、H、三氟甲基、烷氧基、烷硫基础中的一种或几种，烷氧基、烷硫基中烷基碳原子数为1～30直链或者支链；X₄和X₅选自C、N中的一种或两种；虚线表示与式I中双键的连接位置；其中连接体选自下述单元的任一种

4.根据权利要求1所述的小分子受体，其特征在于按照下述方法进行：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于BF₃·C₂H₅OC₂H₅、AlCl₃、GaCl₃、InCl₃、Ga(OTf)₃、GaBr₃、GaI₃中的一种或几种，优选为GaCl₃、BF₃·C₂H₅OC₂H₅、Ga(OTf)₃。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所使用的酸酐独立地选自下述单元中的任一种：

其中R为C₂-C₁₀的直链烷基、叔丁基、异丙基、烯丙基中的一种；X₆为F、Cl、Br、I、CN、H、OH、中的一种。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于所述的溶剂为苯、甲苯、邻二甲苯、对二甲苯、均三甲苯、氯苯。优选为甲苯或二甲苯。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于:所述缩合反应的条件包括:温度为20-110℃，优选为60℃；反应时间为10分钟-6小时，优选为3小时。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于:与所示化合物的摩尔比为1：1，；所述酸酐的加入量为化合物的总摩尔量的0.01％～20％，优选为10-30％；所述酸酐的加入量为化合物总摩尔量的0.01％～20％，优选为10-30％。