[发明专利]一种基于声流体增强的电化学芯片表面纳米颗粒修饰装置及方法

权利要求书

1.一种基于声流体增强的电化学芯片表面纳米颗粒修饰装置，其特征是，在微流道对侧放置谐振器，利用谐振器振动在液体中产生声流体，增强电化学芯片表面纳米颗粒修饰。

2.如权利要求1所述的装置，其特征是，包括谐振器、微米级流道、电化学芯片、压盖、流道管；微米级流道位于谐振器上方；电化学芯片位于流道上方，且电化学芯片工作区域位于流道中，谐振器位于电化学芯片正下方；压盖位于电化学芯片上方，且与下方微流道贴合形成封闭流道；流道管贯穿压盖至流道中。

3.如权利要求2所述的装置，其特征是，微米级流道高度设定为100～1000μm。

4.权利要求2的基于声流体增强的电化学芯片表面纳米颗粒修饰装置搭建方法，其特征是，包括如下步骤：

步骤A：将谐振器固定于EVB板上并放于底部；

步骤B：将微米级流道放于谐振器上，并保证谐振器位于微流道中；

步骤C：将电化学芯片放于微流道上，并保证电化学芯片位于微流道中；

步骤D：将压盖盖于电化学芯片上，压盖与电化学芯片尺寸切合，并与微流道接触形成封闭微流道；

步骤E：将流道管插入压盖中直至进入微流道内。

5.如权利要求3所述的方法，其特征是，微米级流道采用聚二甲基硅氧烷材料。

6.一种基于声流体增强的电化学芯片表面纳米颗粒修饰方法，其特征是，采用电化学芯片与谐振器的联合工作方式：保持谐振器振动状态维持微环境中的声流体微涡旋，后对电化学芯片施加电信号，在电化学芯片表面沉积纳米颗粒。

7.如权利要求3所述的方法，其特征是，采用循环伏安法或恒电位法施加电信号。

8.如权利要求3所述的方法，其特征是，激励谐振器振动产生声流体，输入功率0.5～5W。

9.如权利要求3所述的方法，其特征是，电化学芯片表面流速0.5～3m/s。