[发明专利]一种EMI滤波器磁集成结构设计方法在审
| 申请号： | 202111611037.4 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114266213A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 林苏斌;余兴旺;陈为;张丽萍 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G06F30/36 | 分类号： | G06F30/36 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 张灯灿;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 emi 滤波器 集成 结构设计 方法 | ||
1.一种EMI滤波器磁集成结构设计方法，其特征在于，在EMI滤波器的整流桥前、后分别设置差模电感Ldm1和Ldm2，所述差模电感Ldm1和Ldm2集成在一个全解耦磁芯上。
2.根据权利要求1所述的一种EMI滤波器磁集成结构设计方法，其特征在于，所述全解耦磁芯包括中柱和设于中柱两侧的两边柱，所述差模电感Ldm1、Ldm2分别绕设于两边柱上，所述中柱采用高磁导率的锰锌铁氧体材料制成，所述边柱采用低磁导率、饱和能力强的磁粉芯材料。
3.根据权利要求1所述的一种EMI滤波器磁集成结构设计方法，其特征在于，所述全解耦磁芯包括中柱和设于中柱两侧的两边柱，所述差模电感Ldm1、Ldm2分别绕设于两边柱上，所述中柱和边柱均采用高磁导率的锰锌铁氧体材料制成，但边柱上开设有气隙。
4.根据权利要求2或3所述的一种EMI滤波器磁集成结构设计方法，其特征在于，磁阻Rm的计算公式如下：
其中，A和L分别为磁路的截面积和长度，μ表示材料的磁导率；当磁路的截面积和长度一定时，磁阻与磁导率成反比；在所述全解耦磁芯中，通过结构设计和材料选择，使中柱的磁阻远小于边柱，使边柱Ldm1绕组产生的绝大部分磁通都流过中柱，而只有极小一部分磁通链过Ldm2绕组，进而减小差模电感Ldm1与Ldm2互感，使所述全解耦磁芯的耦合系数K小于5％。
5.根据权利要求1所述的一种EMI滤波器磁集成结构设计方法，其特征在于，所述差模电感Ldm1和Ldm2的感量相等。
6.根据权利要求5所述的一种EMI滤波器磁集成结构设计方法，其特征在于，所述差模电感Ldm1、Ldm2的大小为：
其中，Ldm为差模滤波电感，Lk为漏感。
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