[发明专利]一种PERC+SE电池碱抛前后保护工艺在审
| 申请号： | 202111611915.2 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114447144A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 徐晓斌;朱腾骏;李正清 | 申请（专利权）人： | 张家港博佑光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C16/40;C23C16/505 |
| 代理公司： | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人： | 于鹏 |
| 地址： | 215611 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 perc se 电池 前后 保护 工艺 | ||
1.一种PERC+SE电池碱抛前后保护工艺，其特征在于，具体工艺步骤如下：
步骤1：前氧化+去PSG处理，将清洗干净的衬底装入反应腔内，通入流量为20sccm的氢气，在射频作用下进行预处理，将反应腔抽至真空，使用硅烷和甲硅烷的混合气体作为反应气体，在硅片表面镀SiO2保护层；使用HF与去离子水混合的溶液去除扩散过程中形成在硅片背面多余的SiO2，进入步骤2；
步骤2：碱抛处理，将步骤1所得的硅片放入含KOH3和H2023的清洗槽中进行碱洗，碱洗温度在45℃，碱洗时间为120-180s，碱洗完成后放入添加有KOH和辅助添加剂的碱抛槽内，对硅片碱抛腐蚀，碱抛温度在65℃，碱抛时间为120-250s，取出后放入含有HF和HCL的酸洗槽进行清洗，再经慢提拉和烘干后，进入步骤3；
步骤3：后氧处理，在射频作用下，使用硅烷和甲硅烷的混合气体作为反应气体，在步骤2所得的硅片表面形成SiO2修复层。
2.如权利要求1所述的一种PERC+SE电池碱抛前后保护工艺，其特征在于：所述步骤1中SiO2保护层的厚度为50nm左右。
3.如权利要求1所述的一种PERC+SE电池碱抛前后保护工艺，其特征在于：所述步骤2中碱洗槽内KOH3和H2023的配槽比例为1:6-8；碱抛槽内KOH和辅助添加剂的配槽比例为2.5:1，酸洗槽内HF和HCL的配槽比例为3.75:1，清洗时间为120-250s。
4.如权利要求1所述的一种PERC+SE电池碱抛前后保护工艺，其特征在于：所述步骤1、3中反应气体甲烷和硅烷的流量比均为50sccm:5sccm。
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