[发明专利]一种玻璃基板芯片的制备方法、玻璃基板芯片及应用

权利要求书

1.一种玻璃基板芯片的制备方法，其特征在于，包括：

在基材衬底上形成含铬的硬掩膜层，在所述硬掩膜层上涂覆光刻胶形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光，以将目标流道图形转移到所述光刻胶层上；

对所述硬掩膜层进行腐蚀，以使所述光刻胶层上的目标流道图形转移至硬掩膜层上；

采用第一浓度酸腐蚀液对基材衬底进行多次流道腐蚀，以使流道腐蚀深度达到目标深度，控制流道腐蚀速率为0.8-3.5μm/min；

采用第二浓度酸腐蚀液进行流道腐蚀，以对流道粗糙度进行修饰；

其中，所述第一浓度酸腐蚀液和所述第二浓度酸腐蚀液中均含有BOE，BOE是指氢氟酸与氟化铵形成的混合溶液，且氢氟酸与氟化铵的体积比为1:5-7；

所述第一浓度酸腐蚀液中BOE的体积分数为80%-90%，第二浓度酸腐蚀液中BOE的体积分数为90%-98%；

所述第一浓度酸腐蚀液和所述第二浓度酸腐蚀液均是由第一酸组分和第二酸组分混合而得，所述第一酸组分选自盐酸和硝酸中的至少一种，第二酸组分为BOE；

在利用所述第一浓度酸腐蚀液进行腐蚀时，是浸泡在所述第一浓度酸腐蚀液中，控制搅拌速率为500-1200转/分；

在利用所述第二浓度酸腐蚀液进行腐蚀时，是浸泡在所述第二浓度酸腐蚀液中，控制搅拌速率为200-500转/分；

进行流道腐蚀时，溶液温度为22℃-45℃。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质选自铬、氧化铬和氮化铬中的至少一种，对所述硬掩膜层进行腐蚀是采用铬腐蚀液进行腐蚀。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为50-500nm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层的形成方法选自磁控溅射、电子束蒸发、热蒸发和原子层沉积中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述铬腐蚀液的原料包括硝酸铈铵。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述铬腐蚀液的原料还包括硝酸和硫酸中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括利用有机试剂将所述光刻胶层去除，并利用铬腐蚀溶液将所述硬掩膜层去除得到具有目标流道图形的衬底，将具有镜像对称的两片具有目标流道图形的衬底进行键合，以获得玻璃基板芯片。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，涂覆的所述光刻胶选自正性光刻胶、负性光刻胶、SU8胶和光敏PI中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为100nm-5μm。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基材衬底为玻璃衬底。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述玻璃衬底选自石英玻璃、熔融石英、硼硅玻璃、硅酸盐玻璃、无碱玻璃和钙钠玻璃中的至少一种。

12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在沉积所述硬掩膜层之前，对所述基材衬底进行清洗。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述清洗是先使用硫酸和双氧水的混合溶液浸泡，然后采用有机试剂浸泡，再进行水洗。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，在所述混合溶液中，硫酸的体积分数为20-80%，浸泡时间为15-120min。

15.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述有机试剂选自丙酮、异丙醇和无水乙醇中的至少一种，浸泡时间为10-60min。