[发明专利]一种铜合金引线框架材料有效

专利信息
申请号: 202111614700.6 申请日: 2021-12-28
公开(公告)号: CN113981267B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 刘峰;胡明烈;陈建华;马吉苗;门宇航;郑芸;万向阳 申请(专利权)人: 宁波兴业盛泰集团有限公司;宁波兴业鑫泰新型电子材料有限公司
主分类号: C22C9/02 分类号: C22C9/02;C22C9/06;C22C9/04;C22F1/08;H01L23/495
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摘要:
搜索关键词: 一种 铜合金 引线 框架 材料
【说明书】:

发明提供了一种铜合金引线框架材料,涉及有色金属技术领域。本发明提供的铜合金引线框架材料,以质量百分比计,化学成分包括:Sn 1.0~3.0%,Ni 0.5~4.0%,Zn 0.1~5.0%,P≤0.1%,B 0.005~0.01%,余量为Cu。本发明通过控制铜合金的成分在上述范围,配合制备方法的协同作用,得到了低成本、低热收缩率、高强度、高导电率和蚀刻性能优异的铜合金引线框架材料,完全可以满足大规模集成电路对高精密高精度蚀刻封装的引线框架材料的使用要求。

技术领域

本发明涉及有色金属技术领域,具体涉及一种铜合金引线框架材料。

背景技术

现代电子信息技术核心部件是集成电路,其主要由芯片和引线框架经封装而成,其中引线框架主要起着支撑芯片、保护内部元件、连接外部电路和向外散发元件热量的作用,是集成电路中的关键材料。随着电子信息高新技术的迅速发展,产品向微、薄、轻、多功能和智能化发展,促使集成电路向大规模、超大和极大规模方向发展;引线框架材料的精密封装技术发展,不仅要求引线框架合金材料具有一定的强度和导电特性,而且对材料的加工使用性能提出了更高的要求,很多研究学者只关心材料的抗软化温度及抗应力松弛特性,但对影响封装制程精度的热收缩率指标未进行研究,从而限制了高密度脚的大规模精密框架的技术及产品发展。

目前国内市场上铜基引线框架主要有C19210、C19400和C70250、CuCrZr等几种合金,其中C19210合金导电率大于80%IACS,但强度只有400MPa左右,同时热传导率为360W/(m·K),热收缩率为0.06%,满足不了大规模集成电路对强度及热收缩率的要求,限制了其进一步使用;而C19400合金导电率大于60%IACS、抗拉强度达到450~600MPa,同时热传导率为260W/(m·K),热收缩率为0.05%,仍不能满足超大规模集成电路的强度及多脚化的发展需求,其主要应用于中低端引线框架材料;C70250合金是一种高端的集成电路用引线框架材料,其导电率约为45%IACS、抗拉强度大于600MPa,但热传导率为190W/(m·K),热收缩率为0.03%,合金性能难以满足精密引线框架低热收缩率的要求,只能满足中低端客户使用要求,影响了合金的产业化和应用;CuCrZr合金是大规格集成电路引线框架用铜合金材料,其导电率约为80%IACS、抗拉强度大于550MPa,但热传导率为330W/(m·K),热收缩率为0.045%,合金性能难以满足精密引线框架低热收缩率的要求,同时CuCrZr合金中Cr、Zr元素易烧损,成分均匀性难以控制,铸造难度非常大。随着引线框架由冲压制备方式往高精密蚀刻技术方向发展,目前主流的高端引线框架材料C70250、CuCrZr合金的蚀刻性能均有待提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种铜合金引线框架材料,本发明提供的铜合金引线框架材料具有较高的强度、导电率和蚀刻性能,热收缩率较低,能够满足大规模集成电路对高精密高精度蚀刻封装的引线框架材料的使用要求。

为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:

本发明提供了一种铜合金引线框架材料,以质量百分比计,化学成分包括:Sn 1.0~3.0%,Ni 0.5~4.0%,Zn 0.1~5.0%,P≤0.1%,B 0.005~0.01%,余量为Cu;

所述铜合金引线框架材料的制备方法,包括以下步骤:

按照所述铜合金引线框架材料的化学成分进行配料,得到合金原料;

将所述合金原料依次进行熔炼和铸造,得到合金铸坯;

将所述合金铸坯依次进行热轧、冷轧、中间退火、中轧、在线连续退火和精轧,得到铜合金引线框架材料;

所述在线连续退火的温度为700~850℃;

所述精轧后不进行退火;

经450℃×5min烘烤后所述铜合金引线框架材料的热收缩率≤0.02%。

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