[发明专利]一种晶圆检测方法及检测装置

说明书

本发明提出一种晶圆检测方法及检测装置，包括：形成晶圆测试图形。根据晶圆测试图形的设计规则，形成测试光罩。根据测试光罩形成测试模板，以模拟待测晶圆图形。根据测试模板，以筛选待测晶圆图形中的有效图形。选择有效图形中的有效数据，以建立光学临近效应校正模型。以及根据光学临近效应校正模型，对晶圆进行图形检测。本发明提出的晶圆检测方法及检测装置，提高了检测效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种晶圆检测方法及检测装置。

背景技术

在半导体器件的生产过程中，为了保证设计的图形边缘得到完整的刻蚀，一般通过移动掩模版上图形的边缘或者添加额外的多边形来进行光学修正。然而，目前的修正方法有数据检测时间过长的问题。因此，如何缩短数据检测时间，并提高检测效率已经成为亟待解决的问题。

发明内容

鉴于上述缺陷，本申请提出一种晶圆检测方法及检测装置，以提高图形建模和晶圆检测的效率和准确度，减少了时间和人力成本。

为实现上述目的及其他目的，本申请提出一种晶圆检测方法，包括：

形成晶圆测试图形；

根据所述晶圆测试图形的设计规则，形成测试光罩；

根据所述测试光罩形成测试模板，以模拟待测晶圆图形；

根据所述测试模板，以筛选所述待测晶圆图形中的有效图形；

选择所述有效图形中的有效数据，以建立光学临近效应校正模型；以及

根据所述光学临近效应校正模型，对晶圆进行图形检测。

在本申请的一个实施例中，所述晶圆测试图形设置在所述测试模板上。

在本申请的一个实施例中，所述设计规则包括所述晶圆测试图形的尺寸和所述晶圆测试图形之间的间距。

在本申请的一个实施例中，所述根据所述测试模板，以筛选所述待测晶圆图形中的有效图形，包括：

使用所述测试模板模拟所述待测晶圆图形，并通过光栅进行曝光，以标记出产生散射条的所述待测晶圆图形。

在本申请的一个实施例中，所述选择所述有效图形中的有效数据的方法包括：过滤出晶圆上的所述有效图形。

在本申请的一个实施例中，所述方法包括：当曝光后的散射条的光强度曲线和曝光后主区的光强度曲线在临界线的同一侧时，将所述待测晶圆图形标记为所述有效图形。

在本申请的一个实施例中，所述方法还包括：当曝光后的散射条的光强度曲线和曝光后主区的光强度曲线在临界线的两侧时，将所述待测晶圆图形过滤。

在本申请的一个实施例中，所述散射条包括第一散射区域和第二散射区域，且所述第一散射区域和所述第二散射区域平行。

在本申请的一个实施例中，所述图形检测包括：对待测晶圆检测区进行光标定位，以确定待检测区，并利用所述光学临近效应校正模型对所述待测晶圆检测区内的图形进行测量。

基于同样的构思，本申请还提出一种晶圆检测装置，包括：

显示模块；以及

检测模块，连接所述显示模块，且所述检测模块包括：

测试模板；

光学临近效应校正模型；以及

晶圆测试图形，且所述晶圆测试图形形成于所述测试模板上。

综上所述，本申请提出一种晶圆检测方法及检测装置，对晶圆的图形数据检测进行预处理。提高了所收集数据的有效性，并缩短了晶圆数据收集的时间。同时进一步提高了晶圆检测的图形建模效率，也节约了时间和人力成本。