[发明专利]一种惯性传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111616431.7 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114506812A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 汪建平;季锋 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01C21/16 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 惯性 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种惯性传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一衬底上形成第一介质层以及第一导电层；
在所述第一导电层中形成第一开口以暴露出部分所述第一介质层的表面；
在所述第一导电层上形成保护层，所述保护层覆盖部分所述第一导电层、所述第一开口的侧壁及所述第一开口暴露的所述第一介质层的表面；
在部分所述第一导电层和部分所述保护层上形成具有第二开口的第二介质层；
在所述第二介质层上形成第二导电层，所述第二导电层填充所述第二开口；
在所述第二导电层上形成第一键合结构；
图形化所述第二导电层，形成第三开口；
经由所述第三开口去除部分所述第二介质层，形成空腔及可动质量块；
去除所述空腔中的所述第一导电层和所述第一介质层表面暴露的所述保护层。
2.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，去除所述空腔中的所述第一导电层和所述第一介质层表面暴露的所述保护层之前，所述空腔围成的区域之外没有所述保护层。
3.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，去除所述空腔中的所述第一导电层和所述第一介质层表面暴露的所述保护层之前，所述空腔围成的区域之外的所述第一导电层的布线和压点区域没有所述保护层。
4.根据权利要求2或3所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，去除所述空腔中的所述第一导电层和所述第一介质层表面暴露的所述保护层之前，所述空腔围成的区域之内的第二导电层和第一导电层的接触面之间也没有所述保护层。
5.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，所述保护层、所述第一导电层和所述第二导电层的材料相同。
6.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，所述保护层、所述第一导电层和所述第二导电层的材料为多晶硅。
7.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层与所述保护层的厚度比为10:1～50:1。
8.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，所述第二导电层与所述保护层的厚度比为200:1～1000:1。
9.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度为0.02～0.06微米。
10.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层的厚度为0.4～1.2微米。
11.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，所述第二导电层的厚度为15～30微米。
12.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层和所述保护层的淀积温度为520～620摄氏度。
13.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除所述空腔中的所述第一导电层和所述第一介质层表面暴露的所述保护层。
14.根据权利要求13所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，采用CF4和O2对所述保护层进行干法刻蚀。
15.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，通过氢氟酸气相熏蒸工艺经由所述第三开口去除部分所述第二介质层，形成空腔及可动质量块。
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